[发明专利]一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器有效
申请号: | 201710326448.6 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107123928B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 张保平;许荣彬;梅洋;应磊莹;郑志威 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01S5/343 | 分类号: | H01S5/343 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 氮化 材料 波长 同时 发射 激光器 | ||
1.一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器,其特征在于采用垂直内腔接触结构,从下到上包括衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜,所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔,所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区,其中有源区为量子阱内嵌量子点结构;
所述量子点和量子阱的材料分别为InxGa1-xN和AlzInyGa1-y-zN,其中,0<x<1,0<y<1,0<z<1,y+z<1,并且x>y;
所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜由两种不同折射率的介质膜交错叠加而成,每层介质膜的厚度为1/4中心波长,介质膜组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2、Ti3O5/SiO2中的一种。
2.如权利要求1所述一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器,其特征在于所述电流限制层采用SiO2、SiNx中的一种。
3.如权利要求1所述一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器,其特征在于所述上电极采用Ni/Au、Cr/Au、Ti/Au中的一种。
4.如权利要求1所述一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器,其特征在于所述衬底采用蓝宝石、GaN、Cu中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710326448.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LD芯片共晶焊接系统
- 下一篇:一种智能防护配电柜