[发明专利]用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201710327078.8 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107068599B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 侯珏;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 11442 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 王昭智;马佑平 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 硅通孔 填充 磁控溅射 半导体 处理 设备 | ||
1.一种用于硅通孔填充的磁控溅射腔室，包括：腔体、设置于所述腔体顶部的靶材、设置于所述靶材上方的磁控管、以及设置于所述腔体内部且位于所述靶材下方的基座，其特征在于，
所述磁控管在所述靶材上的投影面积小于五分之一的所述靶材的面积，以提高介质气体的离化率，从而提高对硅通孔的填充速率；
所述靶材与所述基座之间的竖直距离为100-150mm。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述磁控管在所述靶材上的投影面积小于十五分之一的所述靶材的面积。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述磁控管包括磁性相反的外磁极和内磁极，所述内磁极被所述外磁极包围。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述外磁极具有长径和短径，所述短径小于或等于腔室内径与晶片直径的差的二分之一。
5.根据权利要求1-4任一所述的磁控溅射腔室，还包括旋转机构，其特征在于，所述旋转机构包括旋转轴、第一旋转臂和第二旋转臂；
所述第一旋转臂的一端与所述旋转轴固定连接，另一端与所述第二旋转臂的一端连接,所述第二旋转臂的另一端与所述磁控管固定连接；
所述第一旋转臂与所述第二旋转臂之间具有夹角；
所述旋转轴带动所述第一旋转臂和所述第二旋转臂旋转，从而带动所述磁控管旋转。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述第一旋转臂与所述第二旋转臂之间的夹角可调，所述夹角范围为0-180度；
当所述夹角为0度时，所述磁控管投影在所述靶材的中心区域；
当所述夹角为180度时，所述磁控管投影在所述靶材的边缘区域。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述磁控溅射腔室还包括偏压单元，所述偏压单元在所述基座上产生负偏压，以吸引正离子垂直进入晶片的硅通孔底部。
8.根据权利要求7所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述偏压单元包括射频电源和匹配器，其中，所述射频电源通过所述匹配器与所述基座相连；所述射频电源的功率范围为800-1400W。
9.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述的用于硅通孔填充的磁控溅射腔室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710327078.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集成桌板的后排座椅中央扶手及汽车
- 下一篇：车用水杯架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
