[发明专利]形成电子器件的方法

权利要求书

1.一种形成电子器件的方法，包括：

提供具有主表面的衬底；

形成包括具有第一宽度W1的开口的图案化掩膜层；

蚀刻所述衬底的部分以限定从所述主表面延伸的沟槽的部分，其中所述沟槽的部分具有渐缩的内壁以及在所述沟槽的部分的底部处的第二宽度W2，并且其中所述第一宽度大于所述第二宽度；

沿所述沟槽的所述部分的侧表面沉积保护层，

在沉积所述保护层后，蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度以形成具有圆齿状特征的所得到的侧表面，所述圆齿状特征具有与W1相比更接近W2的较小的宽度以及与W2相比更接近W1的较大的宽度；

移除所述保护层以暴露形成所述沟槽的内壁的所述衬底的一部分；以及

在蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度之后平滑形成所述沟槽的内壁的所述衬底的部分使得在平滑之后所述第二宽度更接近所述第一宽度，其中平滑所述衬底的所述部分包括平滑所述渐缩的内壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第一宽度W1在第二宽度W2的1.05到1.4倍范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述衬底的部分以限定所述沟槽的部分在8mTorr到20mTorr范围内的压力处、300V到400V范围内的电压处以及1.0W/cm2到2.0W/cm2范围内的功率密度处执行。

4.根据权利要求3所述的方法，其中蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度在30mTorr到50mTorr范围内的压力处、400V到450V范围内的电压处以及1.5W/cm2到4.0W/cm2范围内的功率密度处执行。

5.根据权利要求1-4中任一个所述的方法，其中平滑在比蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度的更低的压力下执行。

6.根据权利要求5所述的方法，其中平滑在比蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度的更高的电压下执行。

7.根据权利要求1-4任一个所述的方法，其中蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度包括在如下步骤之间交替：

各向异性地蚀刻所述衬底以将所述沟槽进一步延伸到所述衬底中；和

将聚合物沉积到所述沟槽中。

8.根据权利要求1-4任一个所述的方法，其中蚀刻所述衬底的部分以及沉积所述保护层是在至少一个时间点期间同时执行的。

9.一种形成电子器件的方法，包括：

提供具有主表面的衬底；

形成限定开口的图案化掩膜层，其中所述图案化掩膜层在所述开口处具有侧壁；

在所述图案化掩膜层的开口中沿着所述侧壁形成侧壁间隔物以形成变窄的开口，其中形成所述侧壁间隔物在蚀刻所述衬底以形成沟槽之前执行；

形成所述沟槽延伸到所述变窄的开口下的所述衬底中，其中形成所述沟槽还包括交替地：

蚀刻所述衬底以将所述沟槽进一步延伸到所述衬底中，其中所述侧壁间隔物在蚀刻所述衬底期间沿着所述侧壁出现；以及

沉积聚合物到所述沟槽，其中：

形成所述沟槽产生圆齿状侧表面，所述圆齿状侧表面具有圆齿状特征，所述圆齿状特征具有较小的宽度以及较大的宽度，所述较小的宽度与图案化掩膜层的开口的宽度相比更接近变窄开口的宽度，所述较大的宽度与变窄开口的宽度相比更接近图案化掩膜层的开口的宽度；

移除所述侧壁间隔物；以及

在移除所述侧壁间隔物后平滑所述沟槽的内壁，其中平滑是通过各向异性地蚀刻所述衬底来执行的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度在30mTorr到50mTorr范围内的压力处、400V到450V范围内的电压处以及1.5W/cm2到4.0W/cm2范围内的功率密度处执行。