[发明专利]用于制造光电转换设备的方法有效
申请号: | 201710327951.3 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN107359210B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 桑原英司;浮贺谷信贵 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18;H01L23/498;H01L27/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 光电 转换 设备 方法 | ||
1.一种用于制造光电转换设备的方法,其特征在于,所述方法包括:
将包括设置有光电转换元件的第一半导体层和设置有布线结构的布线构件的第一基板固定到第二基板,使得所述布线构件位于第一半导体层和第二基板之间;
在将第一基板固定到第二基板之后将第一半导体层薄化;
在第一基板固定到第二基板的状态下在将第一半导体层薄化之后在第一半导体层中形成通孔;
在连接到所述布线结构的所述通孔中形成导电构件;和
将第一基板固定到包括设置有第一晶体管的第二半导体层的第三基板,使得在形成导电构件之后第一基板位于第三基板和第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,还包括:在将第一基板固定到第三基板之后移除第二基板,以及在第一基板的与第三基板相反的一侧形成聚光部分和波长选择部分中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,在将第一基板固定到第二基板时,第一半导体层设置有第二晶体管。
4.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,还包括:在将第一基板固定到第三基板之后移除第二基板,以及在第一基板的与第三基板相反的一侧形成导光部分。
5.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,导电构件电连接第一基板和第三基板。
6.根据权利要求5所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,导电构件是硅通孔(TSV)。
7.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,在将第一基板固定到第二基板时,第一基板的光入射表面被固定到第二基板,并且
其中,在薄化第一半导体层时,从与第一基板的光入射表面的相反的一侧的表面薄化第一基板。
8.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,第一晶体管形成数字信号处理电路。
9.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,在将第一基板固定到第二基板时,第一基板包括位于第一半导体层的与第二基板相反的一侧的基体以及设置在第一半导体层和所述基体之间的绝缘体层,并且其中,在薄化第一半导体层时,所述基体、所述绝缘体层和第一半导体层的至少一部分被移除。
10.根据权利要求1所述的用于制造光电转换设备的方法,其中,在薄化第一半导体层之后,第一基板的第一半导体层的厚度大于10μm并且小于100μm。
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