[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710327977.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107403730B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;中岛基;高桥正弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;刘春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体膜；以及
各自与所述氧化物半导体膜的第一部分重叠的源电极层和漏电极层，
其中，所述氧化物半导体膜的所述第一部分中的氯浓度低于所述氧化物半导体膜的不与所述源电极层和所述漏电极层重叠的第二部分中的氯浓度，
并且，所述氧化物半导体膜的所述第二部分中的氟浓度低于或等于5x1018atoms/cm3。
2.一种半导体装置，包括：
具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体膜；
各自与所述氧化物半导体膜的第一部分重叠的源电极层和漏电极层；
所述氧化物半导体膜、所述源电极层和所述漏电极层上的第一绝缘膜；以及
所述第一绝缘膜上的栅电极层，所述栅电极层与所述氧化物半导体膜重叠，
其中，所述氧化物半导体膜为岛状，
并且，所述氧化物半导体膜的所述第一部分中的氯浓度低于所述氧化物半导体膜的不与所述源电极层和所述漏电极层重叠的第二部分中的氯浓度。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜的所述第二部分中的氟浓度低于或等于5x1018atoms/cm3。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜具有锥形状的侧面端部。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述锥形状的侧面端部与所述源电极层和所述漏电极层重叠。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的不与所述源电极层和所述漏电极层重叠的所述第二部分中的氯浓度低于或等于5x1018atoms/cm3。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的不与所述源电极层和所述漏电极层重叠的所述第二部分中的铜浓度低于或等于1x1018atoms/cm3。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的所述第二部分中的硼浓度低于或等于1x1016atoms/cm3。
9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的所述第二部分中的氮浓度低于或等于1x1017atoms/cm3。
10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、锌以及选自镓、铝、锰、钴、锡、铪和锆中的一种或多种金属元素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710327977.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超级电容模组的诊断方法与装置
- 下一篇：一种汽车共享系统车辆的调度方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
