[发明专利]一种LED外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED外延片，其特征在于：包括依次叠置的衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、铝镓氮/氮化镓多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层、P型接触层、P型电极；

所述的P型铝镓氮层为Mg掺杂的多层极化诱导Al_xGa_1-xN层，x＝0.3→0.05。

2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的Al_xGa_1-xN层的总厚度为90nm。

3.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的Al_xGa_1-xN层的Mg掺杂浓度为1-2×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的Al_xGa_1-xN层的极化层数为2-3层。

5.一种如权利要求1-4任一所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在金属有机化合物气相外延反应室中，将蓝宝石衬底，在氢气气氛、1280℃、反应室压力100torr下，Bake处理5分钟；然后降低温度，在625℃、反应室压力650torr、H2气氛下，三维生长低温GaN成衬底；

步骤二，在1240℃左右、反应室压力为600torr、H2气氛下，生长2.5-3微米厚的高温非掺杂GaN缓冲层；

步骤三，在1240℃左右、反应室压力为250-300torr下,生长n型GaN层，电子掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3；

步骤四，在1200℃左右、氮气(N2)气氛下，反应室压力100torr,接着生长6周期的Al_0.15Ga_0.85N/GaN多量子阱有源层；Al_0.15Ga_0.85N垒层厚度为9nm左右，肼层厚度为3nm左右得到铝镓氮/氮化镓多量子阱层；

步骤五，在1200℃、N2气氛下，反应室压力100-200torr,在有源层(105)上，生长电子阻挡层，电子阻挡层的厚度为15nm；其中，电子阻挡层的空穴浓度为1.0-2.0×10¹⁷cm^-3；

步骤六，在1200℃、N2气氛下，反应室压力100torr,生长90nm的p型Al_xGa_1-xN多重极化诱导掺杂层；其中，空穴浓度为1-2×10¹⁷cm^-3；

步骤七，在800℃、H2气氛下，反应室压力200-300torr,生长10nm的p型GaN接触层；其中，空穴浓度为1.0-2.0×10¹⁸cm^-3。