[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：依次叠加的栅极图案、栅绝缘层、有源层图案、源极图案以及漏极图案，

所述源极图案中朝向所述栅绝缘层的表面、所述漏极图案中朝向所述栅绝缘层的表面以及所述栅极图案中朝向所述栅绝缘层的表面中，存在至少一个表面为目标表面，所述目标表面能够对射入所述目标表面的光线进行漫反射，以阻止部分光线射入所述有源层图案；

所述源极图案包括：设置在所述栅绝缘层远离所述栅极图案一侧的第一目标图案，以及设置在所述第一目标图案远离所述栅极图案一侧的第一电极主体图案；

所述漏极图案包括：设置在所述栅绝缘层远离所述栅极图案一侧的第二目标图案，以及设置在所述第二目标图案远离所述栅极图案一侧的第二电极主体图案；

所述第一目标图案中朝向所述栅绝缘层的表面，以及所述第二目标图案中朝向所述栅绝缘层的表面均为所述目标表面，所述有源层图案的材质为氧化物半导体，所述第一目标图案的材质和所述第二目标图案的材质均为还原态的氧化物半导体。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一目标图案和所述第二目标图案均围绕所述有源层图案设置，且与所述有源层图案不连接，所述第一电极主体图案和所述第二电极主体图案均与所述有源层图案相连接。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅极图案包括：第三电极主体图案，以及设置在所述第三电极主体图案一侧的第三目标图案，所述栅绝缘层设置在所述第三目标图案远离所述第三电极主体图案的一侧，所述第三目标图案中远离所述第三电极主体图案的表面为所述目标表面。

4.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成栅极图案；

在所述栅极图案的一侧形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层远离所述栅极图案的一侧形成有源层图案、第一目标图案和第二目标图案；

在所述第一目标图案远离所述栅极图案一侧形成第一电极主体图案，以及在所述第二目标图案远离所述栅绝缘层的一侧形成第二电极主体图案；

其中，所述有源层图案的材质为氧化物半导体，所述第一目标图案的材质和所述第二目标图案的材质均为还原态的氧化物半导体，所述第一目标图案中朝向所述栅绝缘层的表面，以及所述第二目标图案中朝向所述栅绝缘层的表面均为目标表面，所述目标表面能够对射入所述目标表面的光线进行漫反射，以阻止部分光线射入所述有源层图案。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述栅绝缘层远离所述栅极图案的一侧形成所述有源层图案、所述第一目标图案和所述第二目标图案，包括：

在所述栅绝缘层远离所述栅极图案的一侧形成氧化物半导体材质层；

在所述氧化物半导体材质层远离所述栅极图案的一侧形成光刻胶层；

采用灰度掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，得到光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、两个第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶厚度；

透过所述光刻胶图案对所述氧化物半导体材质层进行刻蚀处理，去除与所述光刻胶完全去除区对应的氧化物半导体，得到与所述第一光刻胶区对应的第一氧化物半导体区，以及与所述两个第二光刻胶区对应的两个第二氧化物半导体区；

对所述光刻胶图案进行灰化处理，去除所述两个第二光刻胶区的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区的光刻胶；

对所述两个第二氧化物半导体区的氧化物半导体进行还原处理，得到所述第一目标图案和所述第二目标图案，所述第一目标图案的材质和所述第二目标图案的材质均为还原态的氧化物半导体；

剥离所述第一光刻胶区的光刻胶，得到所述有源层图案，所述有源层图案包括所述第一氧化物半导体区的氧化物半导体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第一目标图案和所述第二目标图案均围绕所述有源层图案设置，且与所述有源层图案不连接，所述第一电极主体图案和所述第二电极主体图案均与所述有源层图案相连接。