[发明专利]一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪及其制备方法

权利要求书

1.一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1：通过熔接机对多芯光纤(1)的入射端的所有芯和扇入耦合器尾纤(21)的所有芯进行调整，使所述入射端的各个芯与所述扇入耦合器尾纤(21)的各个芯均一一错开；

步骤S2：将所述入射端与所述扇入耦合器尾纤(21)进行熔接；

步骤S3：对所述多芯光纤(1)的出射端与扇出耦合器尾纤(31)的所有芯进行调整，之后进行熔接；所述步骤S1的具体实现为：

步骤S11：对所述入射端的端面和所述扇入耦合器尾纤(21)进行预处理；

步骤S12：将预处理后的所述入射端和所述扇入耦合器尾纤(21)放入到熔接机内；

步骤S13：通过所述熔接机的端面成像装置获取所述入射端和所述扇入耦合器尾纤(21)的端面图像；

步骤S14：通过所述熔接机屏幕上显示的端面图像对所述入射端或所述扇入耦合器尾纤(21)进行一次旋转调整，使得所述入射端的各个芯与所述扇入耦合器尾纤(21)的各个芯一一对准；

步骤S15：对所述入射端或所述扇入耦合器尾纤(21)进行二次调整使得所述入射端的各个芯与所述扇入耦合器尾纤(21)的各个芯均一一错开；所述入射端的端面中心有纤芯，所述步骤S15中的二次调整为：首先对所述入射端或所述扇入耦合器尾纤(21)进行θ角度的旋转，再对所述入射端或所述扇入耦合器尾纤(21)进行X轴方向和/或Y轴方向的平移。

2.根据权利要求1所述一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪的制备方法，其特征在于：所述入射端的端面中心没有纤芯，所述步骤S15中的二次调整为：对所述入射端或所述扇入耦合器尾纤(21)进行θ角度的旋转、X轴方向的平移或Y轴方向的平移。

3.根据权利要求1所述一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪的制备方法，其特征在于：所述出射端与所述扇出耦合器尾纤(31)需要偏芯熔接，所述步骤S3的具体实现为：

步骤S31a：对所述出射端的端面和所述扇出耦合器尾纤(31)进行预处理；

步骤S32a：将预处理后的所述出射端和所述扇出耦合器尾纤(31)放入到所述熔接机内；

步骤S33a：通过所述熔接机的端面成像装置获取所述出射端和所述扇出耦合器尾纤(31)的端面图像；

步骤S34a：通过所述熔接机屏幕上显示的端面图像对所述出射端或所述扇出耦合器尾纤(31)进行旋转调整，使得所述出射端的各个芯与所述扇出耦合器尾纤(31)的各个芯一一对准；

步骤S35a：对所述出射端或所述扇出耦合器尾纤(31)进行旋转和/或平移使得所述出射端的各个芯与所述扇出耦合器尾纤(31)的各个芯均一一错开；

步骤S36a：将所述出射端与所述扇出耦合器尾纤(31)进行熔接。

4.根据权利要求1所述一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪的制备方法，其特征在于：所述出射端与所述扇出耦合器尾纤(31)不需要偏芯熔接，所述步骤S3的具体实现为：

步骤S31b：对所述出射端的端面和所述扇出耦合器尾纤(31)进行预处理；

步骤S32b：将预处理后的所述出射端和所述扇出耦合器尾纤(31)放入到所述熔接机内；

步骤S33b：通过所述熔接机的端面成像装置获取所述出射端和所述扇出耦合器尾纤(31)的端面图像；

步骤S34b：通过所述熔接机屏幕上显示的端面图像对所述出射端或所述扇出耦合器尾纤(31)进行旋转调整，使得所述出射端的各个芯与所述扇出耦合器尾纤(31)的各个芯一一对准；

步骤S35b：将所述出射端与所述扇出耦合器尾纤(31)进行熔接。

5.根据权利要求3或4所述一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪的制备方法，其特征在于：所述熔接机为保偏光纤熔接机(5)。

6.根据权利要求1所述一种基于多芯光纤偏芯熔接的多通道干涉仪的制备方法，其特征在于：所述扇入耦合器尾纤(21)的光纤类型和所述扇出耦合器尾纤(31)的光纤类型均与所述多芯光纤(1)的类型相同。