[发明专利]一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种影像芯片封装结构的制作方法，实现该方法的气密性影像芯片封装结构，包括至少一影像芯片(700)，一围堰(4)，影像芯片(700)含有功能面和与其相对的非功能面，所述功能面含有焊垫(701)和功能区(702)，所述围堰(4)正面包括含有导电线路(3)，所述影像芯片功能面的焊垫(701)与所述围堰(4)正面导电线路(3)贴合并电连接，且所述影像芯片(700)边缘大于该围堰(4)内沿但小于围堰外沿，所述导电线路(3)延伸至围堰(4)外沿和影像芯片(700)外沿之间，所述影像芯片(700)侧壁及非功能面包裹绝缘层(8)，所述侧壁处的绝缘层(8)内有连接导电线路(3)的导电体(10)，所述影像芯片(700)非功能面的绝缘层(8)上铺有连接所述导电体(10)的重布线金属线路(11)，所述重布线金属线路(11)上设置有导电结构(13)；

其特征在于，包括如下步骤：

A、提供一基板(1)，在基板正面形成导电线路(3)；

B、在所述基板(1)上制作若干穿透基板的空腔，形成若干围堰(4)单元，其中导电线路(3)位于各围堰正面；

C、提供一透光盖板(6)，将所述透光盖板与围堰(4)背面粘结；

D、提供若干影像芯片(700)，所述影像芯片功能面含有焊垫(701)及功能区(702)，将各影像芯片的焊垫(701)与一围堰(4)单元正面导电线路(3)贴合，且各影像芯片的边缘大于该围堰单元内沿但小于围堰单元外沿；

E、在各影像芯片(700)非功能面和各影像芯片之间暴露的围堰(4)正面形成绝缘层(8)；

F、在绝缘层(8)上形成暴露导电线路(3)的开口(9)；

G、在所述开口(9)内形成导电体(10)；

H、在所述各影像芯片(700)的绝缘层(8)上分别制作连接导电体(10)的重布线金属线路(11)；

I、在所述重布线金属线路(11)上形成带有焊盘开口的保护层(12)；

J、在所述焊盘开口形成导电结构(13)；

K、切割形成单颗影像芯片封装体；

在步骤E前，还有步骤：在切割位置从导电线路面向基板(1)内预切一凹槽(5)，该凹槽能够被步骤E的绝缘层(8)填充。

2.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述围堰(4)材料为硅、玻璃、陶瓷、塑料中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述围堰(4)外围包裹由围堰正面向背面延伸的所述绝缘层(8)。

4.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述围堰(4)正面与其上的导电线路(3)之间有钝化层(2)。

5.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述导电体(10)为金属柱、金属层或导电胶的一种。

6.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述影像芯片(700)非功能面的重布线金属线路(11)上铺有保护层(12)，所述保护层(12)覆盖影像芯片非功能面的导电体(10)，并暴露出导电结构(13)。

7.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述围堰(4)高度为100μm～500μm。

8.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述影像芯片(700)功能面的焊垫(701)通过导电胶、金属焊点电性连接。

9.根据权利要求1所述的一种影像芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述围堰(4)背面粘结一透光盖板(6)，所述盖板为白玻璃或者滤光玻璃。