[发明专利]一种温度补偿表面声波器件及其制备方法

权利要求书

1.一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面，所述压电薄膜层的厚度为0.2λ-5λ或0.5λ-5λ，λ为表面声波波长。

2.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述衬底为硅衬底、锗硅衬底、压电单晶衬底、蓝宝石衬底、金刚石衬底或化合物半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述第一温度补偿层或第二温度补偿层为由SiO₂、ZrO₂、Al₂O₃、TeO₂、ZrW₂O₈、金刚石、类金刚石、蓝宝石中的任意一种材料或任意几种材料的组合构成的薄膜层。

4.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述电极为由Al、Cu、AlCu、Ti、Cr、Mo、Ni、W、TiW、TiN和Au中的任意一种材料或任意几种材料的组合构成的薄膜层。

5.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述压电薄膜层为由LiNbO₃、LiTaO₃、AlN和ZnO中的任意一种材料或任意几种材料的组合构成的薄膜层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述第一温度补偿层的厚度为0.5λ-10λ，所述电极的厚度为0.05λ-0.4λ，所述第二温度补偿层的厚度为0.1λ-2λ。

7.一种温度补偿表面声波器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

在衬底上淀积第一温度补偿层；

在第一温度补偿层上形成压电薄膜层；

在压电薄膜层上形成表面声波器件所需的电极；

在表面声波器件所需的电极上覆盖第二温度补偿层；

所述在压电薄膜层上形成表面声波器件所需的电极这一步骤，其具体为：

在压电薄膜层上淀积电极材料，然后旋涂光刻胶，再经过掩膜板曝光、显影和去胶后，采用等离子体反应气体刻蚀形成所需的电极；

所述压电薄膜层的厚度为0.2λ-5λ或0.5λ-5λ，λ为表面声波波长。

8.一种温度补偿表面声波器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

在衬底上淀积第一温度补偿层；

在第一温度补偿层上形成表面声波器件所需的电极；

在电极上形成压电薄膜层；

在压电薄膜层上覆盖第二温度补偿层；

所述在第一温度补偿层上形成表面声波器件所需的电极这一步骤，其具体为：

在第一温度补偿层的上表面之上旋涂光刻胶，接着经过掩膜板曝光、显影和去胶后形成表面声波器件所需的电极图形，最后根据形成的电极图形通过淀积金属薄膜和剥离的方式获得所需的电极；

或者，在第一温度补偿层上淀积电极材料，然后旋涂光刻胶，再经过掩膜板曝光、显影和去胶后，采用等离子体反应气体刻蚀形成所需的电极；

或者，在第一温度补偿层的上表面之上旋涂光刻胶，接着经过掩膜板曝光和显影后形成掩膜层，再在掩膜层的遮蔽下对第一温度补偿层进行刻蚀，然后通过去胶和去掩膜层后得到候选电极图形，再接着根据候选电极图形采用蒸发、溅射或电镀的方法得到候选电极，最后对候选电极进行机械抛光，得到表面声波器件所需的电极；

所述压电薄膜层的厚度为0.2λ-5λ或0.5λ-5λ，λ为表面声波波长。