[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置。所述薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管是驱动电路的重要组成器件，其在显示装置中被广泛应用。氧化物晶体管技术作为现阶段的一个技术热点具有迁移率高、均匀性好等特点，受到人们的广泛关注。然而，在现有技术中，对于薄膜晶体管，还存在一些工艺难点需要解决。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置，能够解决现有技术中的栅极电极容易被氧化等问题。

本发明的一个目的在于提供一种薄膜晶体管。

本发明的第一方面提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的有源层；设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。

在一个实施例中，所述覆盖层包括含镓氧化物。

在一个实施例中，所述含镓氧化物包括下列材料的至少一种：IGZO、GZO、IGO、氧化镓或其组合。

在一个实施例中，所述含镓氧化物是氧缺乏的。

在一个实施例中，所述覆盖层的材料和所述有源层的材料相同。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述覆盖层上的介质层，其中，所述介质层覆盖所述有源层的上表面。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述介质层上的第一接触；以及位于所述介质层中的第一孔，其中，所述第一接触经由所述过第一孔连接到薄膜晶体管的源/漏极区域。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述介质层中的第一布线，所述第一布线具有与所述栅极叠层相同的结构，所述第一布线的顶表面高于所述有源层的顶表面；设置在所述介质层上的第二接触；设置在所述介质层中的第二孔，其中，所述第二接触经由所述第二孔连接到所述第一布线。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的遮光层，以阻挡来自所述有源层下方的光进入所述有源层；

第二布线，所述第二布线与所述遮光层位于同一层；设置在所述介质层上的第三接触；穿过所述介质层的第三孔，其中，所述第三接触经由所述过第三孔连接到所述第二布线。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述遮光层的上表面、所述第二布线的上表面和所述衬底基板的暴露的上表面；设置在第一接触、第二接触和第三接触上的钝化层。

本发明的另一个目的在于提供一种阵列基板。

本发明的第二方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括如上所述的薄膜晶体管。

本发明的又一个目的在于提供一种显示装置。

本发明的第三方面提供了一种显示装置。所述显示装置包括如上所述的阵列基板。

本发明的再一个目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法。