[发明专利]一种多孔陶瓷表面致密氮化硅涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔陶瓷表面致密氮化硅涂层制备方法，其特征是氮化硅涂层包括致密层以及多孔陶瓷基体和致密层之间的中间层,所述中间层和致密层是通过喷涂不同烧结助剂含量的料浆,经烧结得到；具体制备方法步骤如下：

(1)以BaCO₃、Al₂O₃和SiO₂粉体为原料熔融淬火制备BaO-Al₂O₃-SiO₂玻璃粉；

(2)将固体涂层原料与溶剂进行混合配置成固含量为20～30％的中间层浆料，喷涂在多孔陶瓷表面，并在一定温度下进行预烧；

(3)将固体涂层原料与溶剂进行混合配置成固含量为20～40％的表层浆料，在中间层上喷涂一层均匀的表层，并在一定温度下烧结得到与多孔基体结合强度较高的致密氮化硅陶瓷涂层；

步骤(1)所述BaCO₃、Al₂O₃和SiO₂粉体的配比按质量为(25～32):(14～17):(51～61)；步骤(2)所述固体涂层原料为BaO-Al₂O₃-SiO₂玻璃粉、BaAl₂O₄、Si粉和α-Si₃N₄，质量比为(25～38):(21～33):(13～19):(22～31)；步骤(3)所述固体涂层原料为BaO-Al₂O₃-SiO₂玻璃粉、BaAl₂O₄、Si粉和α-Si₃N₄，质量比为(9～20):(8～18):(24～31):(41～51)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)所述淬火温度为1400-1550℃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)所述预烧结温度为1200-1400℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)所述预烧结时间为0.5-2h。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)所述烧结温度为1450-1600℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)所述的烧结时间为0.5-4h。

7.权利要求1所述的方法制备的多孔陶瓷表面致密氮化硅涂层，其特征在于：以氮化硅为主晶相、钡长石为第二相的多孔陶瓷表面致密氮化硅涂层。