[发明专利]像素结构、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极，所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接，所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，所述第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和所述第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接；

所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极为一体结构，所述一体结构为圆形电极或者多边形电极。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管包括2-4个薄膜晶体管，所述第二组薄膜晶体管包括2-4个薄膜晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管中的薄膜晶体管的数量和所述第二组薄膜晶体管中的薄膜晶体管的数量相等。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，当所述一体结构为圆形电极时，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极和所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极均为圆弧形电极，且所述圆弧形电极与所述圆形电极同心设置。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，多个所述圆弧形电极绕所述圆形电极的周向均匀间隔分布。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，当所述一体结构为多边形电极时，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极和所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极均为长条形电极，每个长条形电极分别与所述多边形电极的一边对应设置，且所述长条形电极的长度方向与其在所述多边形电极中对应的一边平行。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述多边形电极为正多边形，所述多边形电极的边数等于所述第一组薄膜晶体管中的薄膜晶体管数量与所述第二组薄膜晶体管中的薄膜晶体管数量之和。

8.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管的沟道的宽长比＝W₁/(A₁*L₁)，A₁为所述第一组薄膜晶体管中薄膜晶体管的数量，W₁/L₁为第一组薄膜晶体管中仅包括一个薄膜晶体管时，薄膜晶体管的沟道的宽长比；所述第二组薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管的沟道的宽长比＝W₂/(A₂*L₂)，A₂为所述第一组薄膜晶体管中薄膜晶体管的数量，W₂/L₂为第二组薄膜晶体管中仅包括一个薄膜晶体管时，薄膜晶体管的沟道的宽长比。

9.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管的栅极为一体结构，所述一体结构为块状电极。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求1-9任一项所述的像素结构。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求10所述的阵列基板。