[发明专利]一种阵列式微细阶梯槽的电火花加工方法

权利要求书

1.一种阵列式微细阶梯槽的2.5D电火花加工方法，其特征在于，首先制备大小不同图形的微细阵列电极，然后分别采用所述大小不同图形的微细阵列电极对工件进行不同深度的电火花加工，形成不同深度、不同大小的2D图形结构进行堆叠的微细阵列的阶梯槽；所述阶梯槽的台阶数目大于等于2个，所述大小不同图形的数目与所述阶梯槽的台阶数相对应；在制备所述微细阵列电极时增加微细定位结构，用于在进行阶梯槽加工时进行定位。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用下列方法之一制备所述微细阵列电极：电火花切割工艺、LIGA工艺、电铸工艺、金属刻蚀工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微细阵列电极的材料为：铜及其合金，镍及其合金，石墨及其化合物，或钨及其合金。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微细定位结构的形状为直线、方块、点或圆。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微细阵列电极中，同一图形通过增加完全相同图形的阵列电极进行电极损耗补偿，所述微细定位结构还用于在进行电极损耗补偿时进行定位。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大小不同图形的微细阵列电极分为两种类别：a)大图形与小图形的重合部分存在电极结构，b)大图形与小图形的重合部分不存在电极结构。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，二阶阶梯槽的形成方式分为以下三种：

a)首先加工小图形结构，加工深度较深；然后加工大图形结构，加工深度较浅，其中大图形与小图形的重合部分存在电极结构；

b)首先加工大图形结构，加工深度较浅；然后加工小图形结构，加工深度较深；

c)首先加工小图形结构，加工深度较深；然后加工大图形结构，加工深度较浅，其中大图形与小图形的重合部分不存在电极结构。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在加工阶梯槽时，通过一次夹持及主轴平移实现电极中心的精确对准。