[发明专利]一种晶界改性制备高性能Y基稀土永磁体的方法在审

专利信息
申请号: 201710330861.X 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN107134360A 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 范晓东;郭帅;陈侃;丁广飞;陈仁杰;闫阿儒;李东 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 代理人: 单英
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 改性 制备 性能 稀土 永磁体 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于稀土永磁材料领域,特别涉及一种晶界改性制备高性能Y基稀土永磁体的方法。

背景技术

稀土钕铁硼永磁材料开发于二十世纪八十年代初,因其具有极高矫顽力和最大磁能积,综合性能优良而被称为“磁王”。自问世以来,在仪器仪表、微波通信、风力发电、电动汽车、电子信息等国民经济的各个行业得到广泛应用。随着人类社会的快速发展,2016年全球钕铁硼永磁体的年产量已达到约15万吨,并且呈现出强劲的增长趋势。由于钕铁硼永磁体中含有30wt.%左右的稀土元素,因此,随着钕铁硼永磁体产量的不断增长,稀土元素的消耗也逐年加剧。

截止目前,制备钕铁硼永磁体仍大量使用轻稀土元素Nd、Pr和重稀土元素Dy、Tb等。一方面,由于轻稀土元素Nd、Pr和重稀土元素Dy、Tb等的价格高昂,导致钕铁硼磁体的价格居高不下;另一方面,稀土元素在地壳中的含量排列依次为Ce、Y、La、Nd、Pr、Sm、Gd、Dy、Tb…,而稀土永磁体的大量使用使得Pr、Nd、Dy、Tb迅速消耗,造成了高丰度稀土La、Ce、Y大量积压,导致稀土资源利用不均衡。因此,如何充分利用高丰度稀土元素La、Ce和Y制备高性能稀土永磁体,受到稀土永磁界的高度关注。

在高丰度稀土元素形成的2:14:1相中,Y2Fe14B具有最高的内禀磁性能(Ha=26kOe,4πMs=14.1kG,Tc=565K),并且Y元素的价格相对较低。因此以Y元素制备高丰度稀土永磁材料,具有广阔的应用前景。专利文献CN201611108740.2在Nd-Ce-Fe-B磁体的基础上以Y元素替代Ce元素,得到高丰度稀土(Ce+Y)占稀土总量50wt.%,矫顽力Hcj=9.7kOe,最大磁能积(BH)m>29MGOe的高丰度稀土永磁体。同时对其温度稳定性进行研究,得到α=-0.1516%℃,β=-0.5145%℃,其温度稳定性远高于Ce基磁体。对磁体微结构研究发现,在含Y磁体中存在元素偏聚现象,并在主相晶粒中形成核壳结构,即Y元素主要聚集在磁体主相晶粒的核心区域,Nd和Ce元素主要集中在主相晶粒的壳层区域及晶界相中。这种结构类似于近几年在Nd-Fe-B领域关注度比较高的晶界扩散形成的壳层结构,具有高磁晶各向异性场的Nd元素聚集在主相晶粒外层,提高主相晶粒的各向异性场。

然而,采用添加Y的方式在主相晶粒中直接形成的壳层结构中,NdPr元素在壳层和核心含量的差别只有1wt.%左右,对主相晶粒磁晶各向异性的提高作用有限。

发明内容

本发明提供了一种Y基稀土永磁体的制备方法,利用该方法得到的Y基稀土永磁体可以在兼顾良好的剩磁和最大磁能积的同时,提高矫顽力,实现高性能。

本发明采用在Y基稀土永磁体中晶界添加一定含量的Re-Cu-Ga纳米合金,Re为Nd或/和Pr,在烧结回火过程中使Nd或/和Pr元素偏聚在磁体主相晶粒表层,提高主相晶粒表层处Nd或/和Pr元素的浓度,以增强主相晶粒表层处的磁晶各向异性场,从而阻止反磁化过程中反转畴在主相晶粒表层的形成。本发明人发现,当纳米晶界合金粉质量占总质量的0.1~10wt.%时,能够在兼顾良好的剩磁和最大磁能积的同时,提高矫顽力,获得高性能的Y基稀土永磁体。

即,本发明的技术方案为:一种晶界改性制备高性能Y基稀土永磁体的方法,其特征是:将纳米晶界合金粉末与Y基合金粉末均匀混合,得到混合粉末,其中纳米晶界合金粉末质量占混合粉末总质量的0.1~10wt.%;然后,利用磁场压机,将混合粉在磁场下取向成型,随后冷等静压制成生坯;将生坯置于真空烧结炉中进行烧结处理,获得烧结磁体;

所述Y基合金粉末的组成为ReαYβBγMxFe100-α-β-γ-x,其中,Y为必须存在的稀土元素;

Re为稀土元素,包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sc等中的一种或几种元素;

M为添加元素,选自Co、Cu、Nb、Ti、Zn、Ga、Al、Zr、Sn、Sb、Ta和W等中的一种或几种元素;

α、β、γ、x、y为各元素的重量百分含量,0≤α<33.5,0<β≤33.5,28.5≤α+β≤33.5,0.85≤γ≤1.1,0≤x≤2;

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