[发明专利]中空介孔二氧化硅光子晶体的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201710330927.5 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107059125B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李垚;熊成佳;赵九蓬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/18 | 分类号： | C30B29/18;C30B29/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中空 二氧化硅 光子 晶体 制备 方法 及其 应用 | ||
1.中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于所述中空介孔二氧化硅光子晶体用于对同系物或同分异构体的痕量检测；
所述的中空介孔二氧化硅光子晶体的制备方法如下：
一、采用水和乙醇依次超声清洗玻璃片5次，干燥备用；
二、将内径为100nm～500nm、外径为120nm～800nm的中空介孔二氧化硅分散于5mL溶剂中，得到质量分数为0.2％～1.2％的分散液；
三、将经过步骤一处理的玻璃片垂直插入到分散液中，并且在45℃～65℃恒温培养箱中垂直沉积72h，即得中空介孔二氧化硅光子晶体；
步骤二中所述的溶剂为乙醇或者水和乙醇的混合物，且水和乙醇的混合物中水的量为0.1mL～2mL。
2.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中将内径为150nm～480nm、外径为150nm～750nm的中空介孔二氧化硅分散于5mL溶剂中。
3.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中将内径为200nm、外径为260nm的中空介孔二氧化硅分散于5mL溶剂中。
4.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中将内径为200nm、外径为300nm的中空介孔二氧化硅分散于5mL溶剂中。
5.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中将内径为265nm、外径为360nm的中空介孔二氧化硅分散于5mL溶剂中。
6.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中所述的溶剂为乙醇或者水和乙醇的混合物，且水和乙醇的混合物中水的量为1mL。
7.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中分散液的质量分数为0.5％～1％。
8.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤二中分散液的质量分数为0.5％。
9.根据权利要求1所述中空介孔二氧化硅光子晶体的应用，其特征在于步骤三中在50℃～60℃恒温培养箱中垂直沉积72h。
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