[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710331274.2 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107154381B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 王玲;盖翠丽;张保侠;李全虎;林奕呈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。所述显示基板包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的遮挡层,以及设置在所述遮挡层远离所述衬底基板一侧的顶栅薄膜晶体管;所述遮挡层包括交叠设置的多个子遮挡层,任意两个相邻的子遮挡层由不同的非金属材料形成,因此该各个子遮挡层可以有效吸收和遮挡环境光。此外,由于每个子遮挡层均是由非金属材料形成的,不会使薄膜晶体管产生寄生电容,因此该遮挡层的面积可以设置的较大,能够在不增加晶体管寄生电容的前提下,进一步改善遮挡层的遮光效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,有机发光二极管(英文:Organic Light Emitting Diode;简称:OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
相关技术中,OLED的显示基板一般包括形成在衬底基板上的薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor,简称:TFT)、阳极、发光层和阴极,该OLED显示基板中的TFT一般采用顶栅结构。但由于顶栅结构的TFT中,栅极形成在有源层远离衬底基板的一侧,为了避免该有源层受环境光照射影响TFT的性能,需要在该有源层靠近衬底基板的一侧沉积一层金属材料作为遮挡层。
但是,由于金属材料形成的遮挡层会导致TFT寄生电容的增大,因此该遮挡层的面积一般较小,遮光效果也较差。
发明内容
为了解决相关技术中的遮挡层遮光效果较差的问题,本发明提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种显示基板,所述显示基板包括:
衬底基板,设置在所述衬底基板上的遮挡层,以及设置在所述遮挡层远离所述衬底基板一侧的顶栅薄膜晶体管;
所述遮挡层包括交叠设置的多个子遮挡层,任意两个相邻的子遮挡层由不同的非金属材料形成,且每个所述子遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述显示基板中任一像素单元的开口区域不重叠。
可选的,所述显示基板还包括:设置在所述顶栅薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的电致发光单元;
每个所述子遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述电致发光单元中像素定义层在所述衬底基板上的正投影重合。
可选的,每个所述子遮挡层远离所述衬底基板且与其他子遮挡层接触的一面设置有沟壑。
可选的,所述多个子遮挡层包括至少一个第一子遮挡层和至少一个第二子遮挡层;
每个所述第一子遮挡层由绝缘材料形成,每个所述第二子遮挡层由半导体材料形成。
可选的,每个所述第二子遮挡层的厚度大于每个所述第一子遮挡层的厚度,且所述遮挡层中与所述顶栅薄膜晶体管接触的为第二子遮挡层。
第二方面,提供了一种显示基板的制造方法,所述方法包括:
提供一衬底基板;
采用非金属材料在所述衬底基板上形成多个子遮挡层,所述多个子遮挡层形成为遮挡层,其中,任意两个相邻的子遮挡层采用不同的非金属材料形成,且每个所述子遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述显示基板中任一像素单元的开口区域不重叠;
在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成顶栅薄膜晶体管。
可选的,所述方法还包括:
在形成有所述顶栅薄膜晶体管的所述衬底基板上形成电致发光单元;
每个所述子遮挡层与所述电致发光单元中的像素定义层采用同一个掩膜板形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造