[发明专利]间隔物整合的方法及所产生的装置

权利要求书

1.一种用于间隔物整合的方法，包含：

在衬底上提供p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构、n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构，该p型场效应晶体管PFET及n型场效应晶体管NFET结构侧向隔开，并且各该p型场效应晶体管PFET及该n型场效应晶体管NFET结构包括高k金属栅极HKMG及栅极覆盖层，其中，该高k金属栅极HKMG装置是由该p型场效应晶体管PFET及n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构形成；

在该衬底上方形成第一保形氮化物层；

在该衬底上方形成氧化物衬垫；

在该p型场效应晶体管PFET及n型场效应晶体管NFET I/O装置EG栅极结构的侧壁上形成第二保形氮化物层；

移除该第一保形氮化物层及该氧化物衬垫在该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构及衬底上方的水平部分；

在各该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构的对立侧上形成隆起源极/漏极RSD结构；

移除该第一保形氮化物层及该氧化物衬垫在该n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构及衬底上方的水平部分；以及

在各该n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构的对立侧上形成隆起源极/漏极RSD结构。

2.如权利要求1所述的方法，其包含在该p型场效应晶体管PFET及n型场效应晶体管NFET I/O装置EG栅极结构的该侧壁上形成第二保形氮化物层是通过下列步骤：

在该衬底上方形成该第二保形氮化物层；

将该第二保形氮化物层向下平坦化至该氧化物衬垫；

在该p型场效应晶体管PFET及n型场效应晶体管NFET I/O装置EG栅极结构上方形成光阻层；

将该第二保形氮化物层从该p型场效应晶体管PFET及n型场效应晶体管NFET核心装置SG栅极结构移除；以及

移除该光阻层。

3.如权利要求1所述的方法，其包含移除该第一保形氮化物层及该氧化物衬垫在该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构及衬底上方的该水平部分是通过下列步骤：

在该衬底上方形成硬掩模层；

在该n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构上方形成光阻层；

移除该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构上方的该硬掩模层；

将该第一保形氮化物层及该氧化物衬垫向下蚀刻至该衬底；以及

移除该光阻层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该蚀刻形成位在各该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构的对立侧上的L形第一保形氮化物层间隔物、及位在该p型场效应晶体管PFET I/O装置EG栅极结构的对立侧上的L形氧化物衬垫间隔物。

5.如权利要求1所述的方法，其包含移除该第一保形氮化物层及该氧化物衬垫在该n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构及衬底上方的该水平部分是通过下列步骤：

在该衬底上方形成硬掩模层；

在该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构上方形成光阻层；

移除该n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构上方的该硬掩模层；

将该第一保形氮化物层及该氧化物衬垫向下蚀刻至该衬底；

移除该光阻层；以及

移除该p型场效应晶体管PFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构上方的该硬掩模层。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该蚀刻形成位在各该n型场效应晶体管NFET核心装置SG与I/O装置EG栅极结构的对立侧上的L形第一保形氮化物层间隔物、及位在该n型场效应晶体管NFET I/O装置EG栅极结构的对立侧上的L形氧化物衬垫间隔物。