[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板之上的控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极；其中，

所述注入层位于所述浮栅与所述有源层之间；

所述有源层位于所述控制栅与所述栅极之间；

所述浮栅位于所述控制栅与所述有源层之间，且所述浮栅包括注入区和氧化区；其中，所述注入区与所述氧化区均包括一个端部和一个延伸部；所述注入区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述漏极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述源极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的延伸部位于所述注入区的延伸部面向所述有源层的一面，且所述氧化区的延伸部的厚度大于所述注入区的延伸部的厚度；

所述注入层的厚度不超过50纳米。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述控制栅位于所述衬底基板之上，所述浮栅位于所述控制栅之上，所述有源层位于所述浮栅之上，所述栅极位于所述有源层之上；或，

所述栅极位于所述衬底基板之上，所述有源层位于所述栅极之上，所述浮栅位于所述有源层之上，所述控制栅位于所述浮栅之上。

3.如权利要求1-2任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述控制栅与所述浮栅之间的缓冲层，以及位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板之上形成包括控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极的图形；其中，

所述注入层位于所述浮栅与所述有源层之间，且所述注入层的厚度不超过50纳米；

所述有源层位于所述控制栅与所述栅极之间；

所述浮栅位于所述控制栅与所述有源层之间，且所述浮栅包括注入区和氧化区；其中，所述注入区与所述氧化区均包括一个端部和一个延伸部；所述注入区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述漏极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述源极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的延伸部位于所述注入区的延伸部面向所述有源层的一面，且所述氧化区的延伸部的厚度大于所述注入区的延伸部的厚度。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板之上形成包括控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极的图形，具体包括：

在衬底基板上形成控制栅的图形；

在形成有所述控制栅的图形的衬底基板上形成所述浮栅的图形；其中，所述控制栅与所述浮栅的图形采用同一掩模板进行构图工艺形成；

在形成有所述浮栅的图形的衬底基板上形成所述注入层的图形；

在形成有所述注入层的图形的衬底基板上形成所述有源层的图形；

在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成所述栅极的图形；

在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成所述源极和所述漏极的图形。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板之上形成包括控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极的图形，具体包括：

在衬底基板上形成栅极的图形；

在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成所述有源层的图形；

在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成所述注入层的图形；

在形成有所述注入层的图形的衬底基板上形成所述浮栅的图形；

在形成有所述浮栅的图形的衬底基板上形成所述控制栅的图形；其中，所述控制栅与所述浮栅的图形采用同一掩模板进行构图工艺形成；

在形成有所述控制栅的图形的衬底基板上形成所述源极和所述漏极的图形。