[发明专利]一种基于脉冲电沉积碳纳米管修饰电极的制备方法

权利要求书

1.一种基于脉冲电沉积碳纳米管修饰电极的制备方法，其特征在于该方法由以下步骤组成：

(1)碳纳米管的表面预处理

室温下，将碳纳米管于浓强酸或混酸中浸泡超声 2 h，再回流 5 ～ 12 h，反应结束后去离子水洗涤至中性，过滤，干燥24 h，得到表面改性碳纳米管；

(2)电沉积溶液的配制

先配制浓度为 1 mmol.L^-1的氯化钾溶液作支持电解质溶剂，再配制出浓度为 1 mg.mL^-1 的碳纳米管水分散液，备用；

(3)碳纳米管在电极表面的脉冲电沉积

将基底电极与铂电极，Ag/AgCl参比电极组成的三电极体系放入步骤b配制的碳纳米管水分散液中， 通过电化学工作站施加脉冲电沉积，使带负电的碳纳米管沉积到基底电极表面，600s后形成一层暗色的碳纳米管修饰基底电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)中，所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管以及相应的掺杂碳纳米管中一种或几种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)中，所述浓强酸或混酸包括硫酸、硝酸、盐酸、磷酸中一种或几种。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)中，所述支持电解质包括钾、钠、锂的硝酸盐，硫酸盐，氯化物，氯酸盐，高氯酸盐，磷酸盐，醋酸盐，柠檬酸盐中一种或几种或其缓冲溶剂。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中，基底电极为玻碳电极，铂电极，金电极，碳糊电极，导电玻璃，石墨电极中的一种。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中，所述脉冲电沉积范围为：脉冲通断时间比t_on∶t_off= 1∶1～1∶10，脉冲周期为1～10s，脉冲沉积电位为0.5～2.5 V；沉积时间10～10000s。

7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中，所述脉冲电沉积优化工艺参数如下：脉冲通断时间比t_on∶t_off= 0.2s∶0.8s，脉冲周期为1s，脉冲沉积电位为2 V，沉积时间600s。