[发明专利]一种石墨层间化合物的制备方法有效
| 申请号： | 201710332857.7 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107032345B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 韩飞;张成智;刘金水;李轩科;张福全 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C01B32/22 | 分类号： | C01B32/22;C01G49/10;C01G3/05;C01G9/04;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 陆薇薇 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 化合物 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨层间化合物的制备方法，其特征在于先通过熔盐法将金属卤化物作为插层剂插入到石墨片层间，插层剂与石墨的质量比为1：0.2～20，干燥温度为60～150℃，干燥时间为0.2～5h，插层反应温度300～1100℃，反应时间为1～72h，然后通过硫化工艺或磷化工艺将金属卤化物完全转化为金属硫化物或者金属磷化物，实现金属硫化物或者金属磷化物以分子水平的形式稳定存在于石墨片层间，得到以金属硫化物或者金属磷化物为插层剂的石墨层间化合物；所述的金属卤化物为无水氯化铁、无水氯化锌、无水氯化铜中的一种或者几种，所述的硫化工艺的硫源是单质S或CS2，磷化工艺中磷源是NaH2PO2；硫化工艺或磷化工艺的反应温度为250～1100℃，反应时间为0.5～72h。
2.根据权利要求1所述的石墨层间化合物的制备方法，其特征在于：所述的石墨包括天然石墨、人造石墨或膨胀石墨。
3.根据权利要求1所述的一种石墨层间化合物的制备方法，其特征在于：用熔盐法制备石墨层间化合物的所有过程都在空气中进行。
4.根据权利要求1所述的石墨层间化合物的制备方法，其特征在于：所制备的石墨层间化合物为1阶、2阶、3阶、4阶或混合阶数。
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