[发明专利]光学传感器设备和用于操作飞行时间传感器的方法有效
申请号: | 201710333320.2 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107452760B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | H.法伊克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 传感器 设备 用于 操作 飞行 时间 方法 | ||
1.光学传感器设备(2),包括:
具有多个像素(4a、4b、4c、4d)的像素阵列(4);
读出节点(6、6'),其配置成从第一和第二像素(4a、4b)相继提供光生电荷载流子(16a)以供读出;以及
第一传输门(8a),其配置成使能通过使用读出节点(6)对第一像素(4a)的读出,和第二传输门(8b),其用以在第一像素的读出期间禁用第二像素(4b)的读出;
其中光学传感器设备(2)是飞行时间传感器。
2.根据权利要求1的光学传感器设备(2),其中光学传感器设备配置成实施所述多个像素(4a、4b、4c、4d)中的光生电荷载流子(16a)的相敏解调。
3.根据权利要求1或2中的任何一个的光学传感器设备(2),其中第一传输门(8a)配置成在读出模式中从第一像素(4a)的存储区(20a)向读出节点(6)提供光生电荷载流子(16a),并且在第一像素的感测模式中禁用从第一像素(4a)的存储区(20a)到读出节点(6)的光生电荷载流子(16a)的传输,其中第一像素(4a)的存储区(20a)配置成存储第一像素的光生电荷载流子。
4.根据权利要求1或2中的任何一个的光学传感器设备(2),其中第二传输门(8b)配置成在读出模式中从第二像素(4b)的存储区(20)向读出节点(6)提供光生电荷载流子(16a),并且在第二像素的感测模式中禁用从第二像素(4b)的存储区(20)到读出节点(6)的光生电荷载流子的传输,其中第二像素的存储区配置成存储第二像素的光生电荷载流子。
5.根据权利要求1或2中的任何一个的光学传感器设备,还包括:
另外的读出节点(6'),其配置成从第一和/或第二像素的另外的存储区(20')提供光生电荷载流子以供读出;
其中所述另外的读出节点(6')配置成从存储区向第一和/或第二像素提供光生电荷载流子;
其中存储区配置成存储从具有第一相位的电磁信号(13)得到的光生电荷载流子,和/或其中所述另外的存储区(20')配置成存储从具有第二相位的电磁信号(13)得到的光生电荷载流子。
6.根据权利要求1或2中的任何一个的光学传感器设备(2),每一个像素(4)还包括:
第一控制电极(9),其配置成向光学传感器设备的转换区中提供第一电场,使得具有第一相位的电磁信号(13)转换成光生电荷载流子(16a),并且其中第一控制电极(9)配置成向存储区(20)提供光生电荷载流子。
7.根据权利要求6的光学传感器设备(2),每一个像素还包括:
第二控制电极(9'),其配置成向光学传感器设备(2)的转换区(12)中提供第二电场,使得具有第二相位的电磁信号(13)转换成另外的光生电荷载流子,并且其中另外的控制电极(9')配置成向另外的存储区(20')提供光生电荷载流子。
8.根据权利要求1或2或7中的任何一个的光学传感器设备,其中读出节点(6、6')配置成相继从像素阵列(4)的至少三个像素(4a、4b、4c)提供光生电荷载流子。
9.根据权利要求1或2或7中的任何一个的光学传感器设备(2),其中另外的读出节点(6')配置成相继从像素阵列的至少三个像素提供光生电荷载流子。
10.根据权利要求1或2或7中的任何一个的光学传感器设备,还包括控制器(22),其配置成控制通过读出节点(6)对第一和第二像素(4a、4b)的读出。
11.根据权利要求1或2或7中的任何一个的光学传感器设备(2),还包括控制器(22),其配置成控制第一传输门(8a),使得第一传输门在第一像素(4a)的读出模式中获得第一电势,并且使得第一传输门在第一像素(4a)的感测模式中获得第二电势,其中第一电势与第二电势不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的