[发明专利]一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法

权利要求书

1.一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，该方法将正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管，采用轴对称屏蔽管的极低频磁场屏蔽率简化估算所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场屏蔽率，获取符合设定极低频磁场屏蔽率的正方形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸，该方法包括以下步骤：

A)获取设定极低频磁场屏蔽率S_t；

B)根据被屏蔽极低频磁场源的布置状态及强度绝缘要求初始化正方形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸；

C)将步骤B)获得的正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管；

D)计算所述圆截面金属屏蔽管的极低频磁场屏蔽率S’，以该极低频磁场屏蔽率S’作为所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场等效屏蔽率S；

E)判断所述极低频磁场等效屏蔽率S是否满足S≤S_t，若是，则保存当前的材料和尺寸，设计结束，若否，则改变正方形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸后，返回步骤C)。

2.根据权利要求1所述的屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，所述尺寸包括正方形截面的边长和金属屏蔽槽的厚度。

3.根据权利要求1所述的屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，所述步骤D)中，极低频磁场等效屏蔽率S简化计算为：

式中，中间参数K、k分别定义为：其中，δ为透入深度，r为圆截面金属屏蔽管的半径，t为圆截面金属屏蔽管的厚度，f为频率，μ为磁导率，σ为电导率。

4.根据权利要求2所述的屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，所述步骤E)中，改变正方形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸具体包括以下措施中的一种或多种：增加金属屏蔽槽的厚度、增大正方形截面的边长和选用更高相对磁导率的材料。

5.根据权利要求1所述的屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，所述步骤B)中，被屏蔽极低频磁场源包括电缆、导线或母线。