[发明专利]铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用

权利要求书

1.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极配线的步骤；

在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；

在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及

形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，

所述在基板上形成栅极配线的步骤包括：在基板上形成铜系金属膜，并以铜系金属膜的蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，

所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括：形成铜系金属膜，并以铜系金属膜的蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，

所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含：过氧化氢5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸盐化合物0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、腐蚀电位调节剂0.5～10.0重量％及余量的水，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物中测定的钼或钼合金腐蚀电位为-0.8V～-0.2V，

所述腐蚀电位调节剂为选自由乙酸铵、乙酸钠和乙酸钾组成的组中的一种或两种以上，

所述铜系金属膜为包含钼层和在所述钼层上形成的铜层的铜钼膜、或者为包含钼合金层和在所述钼合金层上形成的铜层的铜钼合金膜。

2.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述显示装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。

3.一种触摸传感器基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极配线的步骤；

在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；

在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；

形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤；及

形成触摸传感器配线的步骤，

所述在基板上形成栅极配线的步骤包括：在基板上形成铜系金属膜，并以铜系金属膜的蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，

所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括：形成铜系金属膜，并以铜系金属膜的蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，

所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含：过氧化氢5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸盐化合物0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、腐蚀电位调节剂0.5～10.0重量％及余量的水，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物中测定的钼或钼合金腐蚀电位为-0.8V～-0.2V，

所述腐蚀电位调节剂为选自由乙酸铵、乙酸钠和乙酸钾组成的组中的一种或两种以上，

所述铜系金属膜为包含钼层和在所述钼层上形成的铜层的铜钼膜、或者为包含钼合金层和在所述钼合金层上形成的铜层的铜钼合金膜。

4.一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量包含：

过氧化氢5～30重量％、

含氟化合物0.01～1.0重量％、

环状胺化合物0.1～5重量％、

磷酸盐化合物0.1～5.0重量％、

一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、

多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、

腐蚀电位调节剂0.5～10.0重量％、及

余量的水，

所述组合物中测定的钼或钼合金腐蚀电位为-0.8V～-0.2V，

所述腐蚀电位调节剂为选自由乙酸铵、乙酸钠和乙酸钾组成的组中的一种或两种以上，

所述铜系金属膜为包含钼层和在所述钼层上形成的铜层的铜钼膜、或者为包含钼合金层和在所述钼合金层上形成的铜层的铜钼合金膜。

5.根据权利要求4所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述含氟化合物为选自由NH₄F·HF、KF·HF、NaF·HF、NH₄F、KF和NaF组成的组中的一种或两种以上。