[发明专利]一种低缺陷低应力玻璃制备工艺

权利要求书

1.一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)分别称取组成玻璃的各原料并混合均匀后研磨，得混合料；

(2)将步骤(1)中所得混合料进行纳米表面化处理；

(3)将步骤(2)中经过纳米表面化处理的混合料进行离子化热处理得熔融态玻璃液；

(4)将熔融态玻璃液成形得玻璃基板；

(5)将玻璃基板在退火炉中进行退火。

2.如权利要求1所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述步骤(1)中研磨后控制混合料粒度为200-300目。

3.如权利要求1所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述步骤(2)中对混合料进行纳米表面化处理是通过加入表面活性剂和分散剂进行的。

4.如权利要求3所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述表面活性剂为烷基磷羧酸盐。

5.如权利要求3所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述分散剂为硬脂酸盐。

6.如权利要求1所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述步骤(3)中离子化热处理控制温度在1550～1600℃。

7.如权利要求1所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述步骤(3)中离子化热处理、步骤(4)中成形、步骤(5)中退火均是在氮气气氛中进行。

8.如权利要求1所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述步骤(5)中退火分为三个阶段，分别为第一阶段慢退火，第二阶段快速退火和第三阶段常温退火。

9.如权利要求8所述的一种低缺陷低应力玻璃制备工艺，其特征在于，所述第一阶段慢退火控制退火速率在50～80摄氏度/小时，直到温度降低至550～600摄氏度，然后进入所述第二阶段快速退火，控制退火速率在100～120摄氏度/小时，直到温度降低至100～120摄氏度，最后进入所述第三阶段常温退火，待玻璃基板表面温度降至20～25摄氏度时从退火炉中取出。