[发明专利]太阳能电池背板有效
申请号: | 201710337630.1 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107195717B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 庄益春;卞祖慧;贾敏;陈宁 | 申请(专利权)人: | 句容协鑫集成科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212400 江苏省镇江市句*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 背板 | ||
本发明公开了太阳能电池背板,所述太阳能电池背板依次包括耐候层、结构增强层和耐候层,所述结构增强层和耐候层之间通过粘结层粘结固定;所述耐候层为氟材料层,所述结构增强层包括以下原料:泡沫铝,聚酰亚胺,纳米碳,氧化锌,氧化钛,乙二醇,联苯型聚酰亚胺,含羧基端聚酰亚胺,双酚,乙酸乙酯,硫酸镁,氯化钠,氧化镍,去离子水。本发明太阳能光伏电池耐高压击穿,使用寿命长达45年,且成本低廉,所用结构增强层耐候性好,耐拉伸,制备过程简单,纳米碳的加入提高了结构增强层的润滑性,泡沫铝良好的延展性和吸附性,减少了胶粘剂的使用,减少了成本,市场前景好。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池背板。
背景技术
随着科技发展,太阳能越来越受人们青睐,由于太阳能电池需要长期暴露在室外,所以电池芯片必须加以保护,以免影响使用寿命。太阳能电池背板是一种常见的组件,依次包括耐候层、结构增强层和耐候层,其中结构增强层多为PET薄膜,所述薄膜的综合性能好,耐拉伸,耐候性强,绝缘性好。
申请号201110389391.7的中国专利公开了一种太阳能电池背板及其制备方法,所述太阳能电池背板依次包括耐候层、结构增强层和耐候层,所述结构增强层和耐候层之间通过粘结层粘结固定;所述耐候层为氟材料层,所述结构增强层为聚酰亚胺薄膜;所述氟材料层的材料选自聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、或其组合,所述聚酰亚胺薄膜的材料选自热塑性聚酰亚胺、低温固化聚酰亚胺、或其组合;所述粘结层材料选自聚醋酸乙烯酯或聚氨酯;所述制备方法包括下述步骤:(1)将所述结构增强层的原材料通过双向拉伸工艺制成薄膜,即得到结构增强层;(2)将步骤(1)制得的结构增强层的上表面和下表面分别涂布上粘结剂,在130℃的恒温条件下热固化30min,使其交联度达到60%-80%;(3)在140℃的温度下,把耐候层粘结在步骤(2)所得的产物的上表面和下表面,即得太阳能电池背板 。本发明提供的太阳能电池背板的力学性能和热学性能稳定,耐阻隔性突出,层与层之间的结合较牢固,背板结构较稳定,可用于支撑保护太阳能电池片;并且由于聚酰亚胺超强的力学性能,稳定的耐高低温性能以及优异的绝缘性能,本发明提供的太阳能电池背板的使用年限在理论上可以达到40年之久。本发明提供的太阳能电池背板的制备方法,生产工艺简单,易于操作。本发明提供的太阳能电池使用寿命较长。但是本发明结构增强层鱼与耐侯层之间粘结在极性条件下,容易分层,尤其在夏天雷电活动严重,聚酰亚胺容易被击穿,使得电池结构损坏。
申请号为201510628738.7的中国专利公开了一种高局放电压太阳能电池背板基膜及其制备方法,由具有高局放电压功能的A层聚酯薄膜和具有耐水解功能的B层聚酯薄膜复合组成。按A层聚酯薄膜与B层聚酯薄膜的质量比400~900:100,分别通过挤出机在260℃~290℃下熔融后,经树脂熔融分配器分层共挤挤出,在15℃~25℃冷鼓上铸片,再经2.9~3.5倍纵向拉伸、3.0~3.5倍横双向拉伸,在190℃~230℃热定型即制得厚度为100μm~350μm的高局放电压太阳能电池背板基膜;本发明高局放电压太阳能电池背板基膜的局部放电电压为800V~1800V;局部放电压、长期耐紫外等性能良好;适用于太阳能光伏电池背板材料的制造。但是此种基膜制备步骤比较繁琐,次品率高,不易于产业化。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种稳定性强,力学性能好的太阳能电池背板。
为解决现有技术问题,本发明采取的技术方案为:
太阳能电池背板,所述太阳能电池背板依次包括耐候层、结构增强层和耐候层,所述结构增强层和耐候层之间通过粘结层粘结固定;所述耐候层为氟材料层,所述结构增强层包括以下按照重量份数计的原料:泡沫铝52-65份,聚酰亚胺30-48份,纳米碳12-39份,氧化锌22-34份,氧化钛12-20份,乙二醇12-30份,联苯型聚酰亚胺10-18份,含羧基端聚酰亚胺5-22份,双酚1-8份,乙酸乙酯12-30份,硫酸镁12-20份,氯化钠8-24份,氧化镍12-30份,去离子水10-30份。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的