[发明专利]一种具有非极性吸收层的紫外探测器

权利要求书

1.一种具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，包括：自下而上依次设置的衬底(101)、AlN中间层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、非极性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分离层(105)、非掺杂Al_zGa_1-zN倍增层(106)、p型AlGaN层(107)，在p型AlGaN层(107)上设置的p型欧姆电极108，在n型AlGaN层(104)上设置的n型欧姆电极(109)，其中0<x<y<z<1。

2.如权利要求1所述的具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，所述非极性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分离层(105)材料为(11-20)、(10-10)面非极性面材料。

3.如权利要求1所述的具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，所述衬底(101)为极性、半极性、非极性取向的蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化镓、氮化铝材料。

4.如权利要求1所述的具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，所述AlN中间层(102)的厚度为15-5000nm，非掺杂AlGaN缓冲层(103)的厚度为50-5000nm，n型AlGaN层(104)的厚度为200-5000nm，非极性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分离层(105)的Al_xGa_1-xN量子阱的阱宽为1-10nm，Al_yGa_1-yN势垒的垒厚为1-30nm，重复周期数为3-50，非掺杂Al_zGa_1-zN倍增层(106)的厚度为100-250nm，p型AlGaN层(107)的厚度为50-500nm。

5.如权利要求1所述的具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，所述非极性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分离层(105)和非掺杂Al_zGa_1-zN倍增层(106)中Al组分的关系满足：0<x<y<z<1。

6.如权利要求1所述的具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，所述非掺杂Al_zGa_1-zN倍增层(106)为单层AlGaN外延层结构，或是AlGaN/AlGaN量子阱结构，其中量子阱的阱宽为1-10nm，垒厚为5-30nm，重复周期数为3-50。

7.如权利要求1所述的具有非极性吸收层的紫外探测器，其特征在于，所述p型欧姆电极(108)和n型欧姆电极(109)的材料为Ni、Al、Au、Ag或Ti中的任何一种金属或由以上多种金属构成的合金材料。