[发明专利]一种大面积窄带隙有机聚萘热电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710338270.7 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN107057041B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 朱道本;陈洁;徐伟;孙祎萌 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所;中国科学院大学
主分类号: C08G61/10 分类号: C08G61/10;C08J5/18;C08L65/00;H01L35/24
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 大面积 窄带 有机 热电 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机聚萘热电薄膜的制备方法,包括下述步骤:

1)将原料苝四甲酸二酐置于两端开口的石英舟中,再将所述石英舟放置在石英管内,接着将所述石英管置于双温区真空管式炉中,按照载气的流向,将气流经过所述双温区真空管式炉的第一加热区域定义为第一温区,第二加热区域定义为第二温区;并使所述石英舟的位置处于所述第一温区的中部;同时将基底置于所述石英管内且处于所述石英舟的载气气流下游侧;

2)对所述双温区真空管式炉抽真空,在保持真空度的同时通入载气,按照2 ~10摄氏度/分钟的升温速率对所述双温区真空管式炉进行加热,使第一温区的温度达到目标温度530摄氏度并保温,使第二温区的温度达到目标温度室温并保温;然后停止加热使双温区真空管式炉内温度降至室温,即在所述基底上得到有机聚萘热电薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中所述苝四甲酸二酐的用量为100~300毫克。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中所述基底为能耐受所述步骤2)加热温度的基底;所述基底的尺寸为5×5-20×30 mm2;所述基底与靠近基底侧的所述石英舟边缘的距离为0-10 cm。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中所述基底为硅片、表面修饰二氧化硅的硅片或平石英片。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中所述真空度小于等于450帕;所述步骤2)中所述载气为惰性气体;所述载气的流量为10~30毫升/分钟。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中,所述第一温区和第二温区同时开始加热、同时停止保温,且升温速率相同;所述第一温区的保温时间为1-6小时。

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