[发明专利]具有单脉冲雪崩能量的高压半导体元件与其制作方法

权利要求书

1.一种高压半导体元件，具有良好的单脉冲雪崩能量，包含有：

主要高压开关元件，包含有：

数个开关单元(switch cell)，排列为一第一矩阵，其中，每个开关单元具有一开关单元宽度(switch cell width)；以及

电流检测元件，包含有：

数个检测单元(sense cell)，排列为一第二矩阵，其中，每个检测单元具有一检测单元宽度(sense cell width)，大于该主要单元宽度。

2.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中，该检测单元宽度为该开关单元宽度的一整数倍。

3.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中，每个开关单元包含有一第一栅宽度，每个检测单元具有一第二栅宽度，其等于该开关栅宽度。

4.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中，该高压半导体元件包含有一半导体基底(substrate)；该主要高压开关元件与该电流检测元件共享一漏极，形成于该半导体基底的一背面；该主要高压开关元件与该电流检测元件共享一栅极，形成于该半导体基底的一正面，该主要高压开关元件与该电流检测元件分别具有一源极以及一检测极，形成于该正面。

5.如权利要求1所述的高压半导体元件，其中，每个开关单元包含有一第一接触洞宽度，每个检测单元具有一第二接触洞宽度，其大于第一接触洞宽度。

6.一种高压半导体元件，具有良好的单脉冲雪崩能量，包含有：

主要高压开关元件，包含有：

数个开关单元，排列为一第一矩阵，其中，每个开关单元具有一第一接触洞比例(contact ratio)；以及

电流检测元件，包含有：

数个检测单元，排列为一第二矩阵，其中，每个检测单元具有一第二接触洞比例，大于该第一接触洞比例。

7.如权利要求6所述的高压半导体元件，其中，每个开关单元与每个检测单元，在外型(shape)上相同。

8.如权利要求6所述的高压半导体元件，其中，每个开关单元与每个检测单元，在外型上不相同。

9.如权利要求6所述的高压半导体元件，其中，该主要高压开关元件与该电流检测元件分别具有第一与第二栅图案，该第二栅图案通过二连接方向，连接至该第一图案，且该二连接方向不互相平行。

10.如权利要求6所述的该高压半导体元件，其中，每个检测单元具有一外型，该外型为长方形或是正六角形。

11.一种制作方法，适用于制造一高压半导体元件于一半导体基底上，包含有：

在该半导体基底上形成图案化的一栅导电层；

对该半导体基底进行掺杂制作工艺，以于该半导体基底上形成一体区以及一源区，其中，该体区与该源区是由同一掩模(mask)所定义，且该掩模包含有该栅导电层；

形成一多晶硅间介电层于该栅导电层上；

去除部分的该多晶硅间介电层，以形成一接触洞；以及

在该接触洞内形成一金属层；

其中，去除部分的该多晶硅间介电层的该步骤也去除了部分的该源区，因此，该金属层可同时接触该体区与该源区。

12.如权利要求11所述的制作方法，包含有：

形成一场氧化层；以及

以该场氧化层以及该栅导电层作为该掩模，进行该掺杂制作工艺。

13.如权利要求11所述的制作方法，包含有：

外延以形成一外延层于该半导体基底上；

在该外延层上形成图案化的一场氧化层；以及

在该外延层上形成该栅导电层。