[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上形成有位线接触区和位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区，多个所述有源区呈阵列式排布且多个所述位线接触区交错排布；

形成位线接触在所述位线接触区上，以及形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿所述第一方向延伸，在同一直线上排布的所述位线接触连接至同一位线上，所述位线和所述位线接触的高度大于所述衬底的高度，以使所述位线和所述位线接触共同界定出在所述衬底的表面上的多个第一开口，所述位线和所述位线接触的侧壁的组合构成所述第一开口的侧壁；

形成第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上，在两条相邻的所述位线之间，相邻的所述位线接触的侧壁的所述第一隔离侧墙相互连接，以构成瓶颈封闭，所述瓶颈封闭、在相邻的所述位线和所述位线接触的侧壁上的所述第一隔离侧墙共同界定出第二开口，所述第二开口限定在所述第一开口中并暴露出所述存储节点接触区；以及，

填充接触材料在所述第二开口中，以构成存储节点接触。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离侧墙的形成步骤包括：

沉积隔离材料层在所述衬底上，所述隔离材料层覆盖所述位线和所述位线接触的顶部，并覆盖所述第一开口的侧壁和底部；以及，

执行回刻蚀工艺，去除在所述位线和所述位线接触顶部的所述隔离材料层，以及局部去除在所述第一开口底部的所述隔离材料层，以形成所述第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上。

3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，相邻的两条所述位线中，两个相邻的所述位线接触之间的最小间隔距离小于等于2倍的所述隔离材料层的沉积厚度，所述隔离材料层的沉积厚度为所述隔离材料层在回刻蚀工艺之前沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。

4.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，两条相邻的所述位线中，两个相邻的所述位线接触之间的最小间隔距离大于2倍的所述隔离材料层的厚度，所述隔离材料层的沉积厚度为所述隔离材料层在回刻蚀工艺之前沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。

5.如权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，至少执行两次所述隔离材料层的沉积步骤，使两条相邻的所述位线中两个相邻的所述位线接触之间填满所述隔离材料层。

6.如权利要求1至5任一项所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述位线之前，还包括：

形成字线在所述衬底中；以及，

形成绝缘层在所述衬底上，所述绝缘层覆盖所述字线。

7.如权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线接触和所述位线的形成步骤包括：

形成第一掩膜层在所述绝缘层上，所述第一掩膜层中形成有多个凹槽对应所述位线和所述位线接触，所述凹槽包括第一凹槽和与第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿所述第一方向相互连通，所述第一凹槽暴露出所述位线接触区上的绝缘层，所述第二凹槽暴露出相邻的所述位线接触区之间的绝缘层；

形成第二掩膜层在所述第一掩膜层上，以覆盖所述第二凹槽并暴露出所述第一凹槽；

以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀暴露出的所述绝缘层，使所述位线接触区暴露出；

去除所述第二掩膜层并填充导电材料在所述凹槽中，位于所述凹槽中的所述导电材料构成所述位线的导电层，位于所述第一凹槽中的所述导电材料构成所述位线接触的导电层；

去除所述第一掩膜层，暴露出所述位线接触和所述位线的侧壁以共同界定出所述第一开口，并通过所述第一开口暴露出所述存储节点接触区上的绝缘层；以及，

去除所述存储节点接触区上的绝缘层，暴露出所述存储节点接触区。

8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽平行于所述衬底表面的截面的形状为矩形，两个相邻的所述凹槽中两个相邻的第一凹槽的矩形顶角相对。