[发明专利]硅基光波导结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种硅基光波导结构及其制作方法，包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；于所述顶层硅表面形成间隔排列的两个带状金属层；于所述顶层硅及所述两个带状金属层上形成上包层，且所述上包层的折射率小于所述顶层硅的折射率。本发明在纵向上，高折射率的顶层硅夹于低折射率的埋氧层与上包层之间，形成纵向的光场限制；在横向上，带状金属层区域具有强烈的光吸收，其等效折射率低于两个带状金属层之间的区域，形成横向的光场限制，最终实现纵向及横向上的光场限制，形成硅基光波导结构，可有效提高光波导的性能。本发明不需要对顶层硅材料进行干法刻蚀，大大降低了工艺难度，有利于设备及工艺成本的降低。

技术领域

本发明属于半导体领域和光电集成领域，特别是涉及一种硅基光波导结构及其制作方法。

背景技术

随着人们对信息传输、处理速度要求的不断提高和多核计算时代的来临，基于金属的电互连将会由于过热、延迟、电子干扰等缺陷成为发展瓶颈。而采用光互连来取代电互连，可以有效解决这一难题。在光互连的具体实施方案中，硅基光互连以其无可比拟的成本和技术优势成为首选。硅基光互连既能发挥光互连速度快、带宽大、抗干扰、功耗低等优点，又能充分利用微电子工艺成熟、高密度集成、高成品率、成本低廉等优势，其发展必将推动新一代高性能计算机、数据通信系统的发展，有着广阔的市场应用前景。

硅基光互连的核心技术是在硅基上实现各种光功能器件，如硅基激光器、电光调制器、光电探测器、滤波器、波分复用器、耦合器、分光器等。而实现这些功能器件的基本结构或基本器件是硅基光波导结构。

如图1所示，当前最常用的硅基光波导结构是在SOI(silicon-on-insulator，绝缘体上的硅)材料20上通过光刻、干法刻蚀等工艺制作的硅纳米线光波导。它以方形横截面的硅作为芯层201，四周以二氧化硅材料或其他低折射率材料环绕作为包层21，从而形成光波导结构。硅纳米线光波导由于芯层201和包层21之间巨大的折射率差，可以实现亚微米尺度的光波导尺寸及微米尺度的波导弯曲半径。但是，这种波导的制作需要昂贵的硅材料干法刻蚀设备，不利于降低设备成本投入；同时，这种波导具有较大的侧壁散射损耗，对干法刻蚀工艺要求很高；并且极易因光刻线宽偏差而引入相位误差，对光刻工艺要求也很高。

随着硅基光器件及硅基光互连系统的不断普及应用，如何开发出低成本、易加工的硅基光波导结构，从而在所需场合替代常用的但对制造工艺要求苛刻的硅纳米线光波导，成为本领域技术研发的一个重要目标。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅基光波导结构及其制作方法，用于解决现有技术中硅基光波导结构制作工艺困难，成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅基光波导结构的制作方法，所述制作方法包括：步骤1)，提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；步骤2)，于所述顶层硅表面形成间隔排列的两个带状金属层；步骤3)，于所述顶层硅及所述两个带状金属层上形成上包层，且所述上包层的折射率小于所述顶层硅的折射率；在纵向上，高折射率的顶层硅夹于低折射率的埋氧层与上包层之间，形成纵向的光场限制；在横向上，带状金属层区域具有强烈的光吸收，其等效折射率低于两个带状金属层之间的区域，形成横向的光场限制，最终实现纵向及横向上的光场限制，形成硅基光波导结构。

优选地，所述硅基光波导结构为单模传输的硅基光波导结构。

进一步地，通过调整顶层硅的厚度、两个带状金属层之间的距离以及两个带状金属层的宽度，实现硅基光波导结构的单模传输。

优选地，步骤2)包括：步骤2-1)，通过溅射或蒸镀工艺于所述顶层硅表面形成金属层；步骤2-2)，于所述金属层表面旋涂光刻胶，并通过曝光工艺形成带状掩膜图形；步骤2-3)，通过刻蚀工艺刻蚀所述金属层，以制备出所述两个带状金属层。