[发明专利]一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法在审
| 申请号： | 201710341296.7 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107033904A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 叶小亮 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | C09K11/84 | 分类号： | C09K11/84;C01G9/08 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹,柏子雵 |
| 地址： | 201100 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gd3 掺杂 zns 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将乙酸锌和乙酸钆溶于无水乙醇溶液中，搅拌直至完全溶解，并在溶液中放入PVP，定义为混合液一，使用磁力搅拌对混合液一进行剧烈搅拌，在剧烈搅拌过程中，将硫化钠与水乙醇溶液配成混合液二，使用碱式滴定管在通风橱内往混合液一中缓慢滴入混合液二，至白色沉淀形成后静置，然后用胶头滴管吸入少量白色沉淀部分并涂于已清洗过的硅片衬底上，经过加热处理后得钆离子掺杂硫化锌纳米晶。
2.如权利要求1所述的一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，所述乙酸锌与所述乙酸钆的摩尔比为30∶1～40∶1，所述乙酸锌在所述无水乙醇溶液中的摩尔浓度为0.03～0.05mol/l，所述PVP与锌的摩尔比为0.006～0.009。
3.如权利要求1所述的一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，所述剧烈搅拌持续1小时以上。
4.如权利要求1所述的一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，所述硫化钠与在所述水乙醇溶液中的摩尔浓度为0.1～0.15mol/1。
5.如权利要求1所述的一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为70℃～90℃。
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