[发明专利]形成取代接触窗的方法及导电结构

权利要求书

1.一种形成取代接触窗的方法，其特征在于，该方法包含：

形成一第一金属在一第一介电质内，其中该第一金属包含一顶表面，该顶表面具有一第一宽度；

形成一金属氧化物结构在该第一金属的该顶表面上方，其中该金属氧化物结构具有多个侧壁表面；

多个间隙壁，其中所述多个间隙壁邻接该金属氧化物结构的所述多个侧壁表面，其中形成所述多个间隙壁包括在该金属氧化物结构和该第一介电质的曝露表面上沉积一毯覆式间隙壁层，以及对该毯覆式间隙壁层执行方向性回蚀制程；

形成一第二介电质，其中该第二介电质邻接该多个间隙壁，以覆盖该第一介电质的多个暴露部分；以及

形成一开口在所述多个间隙壁之间，其中该开口包含一第二宽度，且该第二宽度等于该第一宽度。

2.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该金属氧化物结构包含二氧化铪(HfO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化铈(CeO₂)、二氧化钛(TiO₂)或氮氧化铝(AlON)。

3.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该形成该开口在所述多个间隙壁之间的步骤包含以一选择性干式蚀刻制程，蚀刻该金属氧化物结构。

4.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该形成该开口在所述多个间隙壁之间的步骤包含以一选择性湿式蚀刻制程，蚀刻该金属氧化物结构。

5.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该方法还包含：

沉积一或多层的一堆叠在该开口中，其中该开口在该第一金属的该顶表面及该多个间隙壁上；以及

沉积一第二金属在该堆叠上，以填充该开口。

6.根据权利要求5所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该第一金属及该第二金属包含相同金属或不同金属。

7.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该形成金属氧化物结构的步骤包含以一区域选择原子层沉积制程，选择性地成长该金属氧化物结构。

8.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该形成金属氧化物结构的步骤包含以一区域选择化学气相沉积制程，成长该金属氧化物结构。

9.根据权利要求1所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该金属氧化物结构的该多个侧壁表面为垂直。

10.一种形成取代接触窗的方法，其特征在于，该方法包含：

形成一第一金属在一第一介电质内，其中该第一金属包含暴露的一顶表面，该顶表面具有一第一宽度；

形成一自组装单分子层在该第一介电质上，以暴露出该第一金属的该顶表面；

成长一金属氧化物结构在该第一金属上，其中该金属氧化物结构具有多个第一侧壁表面；

移除该自组装单分子层；

形成多个间隙壁邻接于该金属氧化物结构的多个第一侧壁表面，其中形成所述多个间隙壁包括在该金属氧化物结构和该第一介电质的曝露表面上沉积一毯覆式间隙壁层，以及对该毯覆式间隙壁层执行方向性回蚀制程；

形成一第二介电质邻接于所述多个间隙壁，其中该第二介电质覆盖该第一介电质；以及

移除该金属氧化物结构以在所述多个间隙壁之间形成一开口，其中该开口具有一第二宽度，且该第二宽度等于该第一宽度。

11.根据权利要求10所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该自组装单分子层包含硅烷。

12.根据权利要求10所述的形成取代接触窗的方法，其特征在于，该自组装单分子层包含十八烷基三氯硅烷。