[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201710342355.2 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN107195524B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 奥村智洋;末益智志 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H05H1/30
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 穆德骏;谢丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法 制造 电子器件
【权利要求书】:

1.一种利用电感耦合等离子炬的等离子体处理装置,包括:

长形且环状的腔室,所述腔室除开口部以外被电介质部件包围,并且与所述开口部连通;

气体供应管,所述气体供应管向所述腔室内导入气体;

线圈,所述线圈设置于所述腔室附近;

高频电源,所述高频电源连接到所述线圈;以及

衬底载置台,

其中,在包围所述腔室的所述电介质部件中,构成与所述衬底载置台相对的表面的部分被配置成包括与所述腔室的纵向方向平行布置的圆筒,并且

其中,所述环状的腔室是通过将形成两个短边的线状部连接到形成两个长边的线状部的两端而成的、连续的封闭带状的形状,所述环状的腔室的底部的上表面被配置成包括所述圆筒。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,进一步包括:

旋转机构,所述旋转机构使所述圆筒围绕所述圆筒的轴旋转。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,

其中,所述圆筒为内部形成有空腔的管,并且包括用于使制冷剂流向形成在所述圆筒内部的所述空腔内的机构。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,

其中,所述圆筒在纵向方向上比所述腔室长。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,

其中,所述圆筒具有将多个圆筒状构件沿所述腔室的纵向方向连结在一起的结构。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,

其中,沿着与由所述衬底载置台形成的平面大致垂直的平面布置所述腔室。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,

其中,沿着与由所述衬底载置台形成的平面大致平行的平面布置所述腔室。

8.一种利用电感耦合等离子炬的等离子体处理方法,包括:

向被电介质部件包围的长形且环状的腔室内供应气体,

通过与所述腔室连通的开口部向衬底喷出所述气体,

向线圈供应高频功率,

在所述腔室内产生高频电磁场以便产生等离子体,以及

处理所述衬底的表面,

其中,在包围所述腔室的所述电介质部件中,构成与衬底载置台相对的表面的部分被配置成包括与所述腔室的纵向方向平行布置的圆筒,并且

其中,所述环状的腔室是通过将形成两个短边的线状部连接到形成两个长边的线状部的两端而成的、连续的封闭带状的形状,所述环状的腔室的底部的上表面被配置成包括所述圆筒。

9.一种制造电子器件的方法,所述制造电子器件的方法利用权利要求8所述的等离子体处理方法。

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