[发明专利]一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置有效

专利信息
申请号: 201710342458.9 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN107092399B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 何剑 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 oled 阵列 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED阵列基板,其特征在于,包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管,以及覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层;

所述OLED阵列基板还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的触控传感器,所述触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极;

还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的像素界定层,所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口;

所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠;

所述触控传感器位于所述像素界定层与所述平坦化层之间。

2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极;

所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置,所述第一触控电极或所述第二触控电极与所述阳极同材料。

3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有介电层;

所述第一触控电极与所述第二触控电极均为条状,且交叉设置。

4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极;

所述第一触控电极与所述第二触控电极同层设置,所述第一触控电极为条状,所述第二触控电极为块状,所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧;所述第一触控电极两侧,且位于同一行的多个所述第二触控电极通过搭桥引线均电连接;

其中,所述第一触控电极和所述第二触控电极与所述阳极同材料;或者所述搭桥引线与所述阳极同材料。

5.一种触控显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的OLED阵列基板。

6.一种OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上,通过构图工艺形成薄膜晶体管;

在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上,通过构图工艺形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层;

在形成有所述平坦化层的衬底基板上,通过构图工艺形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极;其中,所述第一触控电极与所述第二触控电极构成触控传感器;

所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极之后,所述方法还包括

在形成有所述触控传感器的衬底基板上,通过构图工艺形成像素界定层,所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口;

所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠。

7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括:

在形成有所述平坦化层的衬底基板上,沉积第一导电材料层,并通过一次构图工艺形成阳极以及条状的第一触控电极;

在形成有所述第一触控电极的衬底基板上,通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层;

在形成有所述介电层的衬底基板上,沉积第二导电材料层,并通过构图工艺形成与所述第一触控电极交叉设置且为条状的第二触控电极。

8.根据权利要求6所述的OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括:

在形成有所述平坦化层的衬底基板上,沉积第一导电材料层,并通过构图工艺形成条状的第一触控电极;

在形成有所述第一触控电极和所述第二触控电极的衬底基板上,通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层;

在形成有所述介电层的衬底基板上,沉积第二导电材料层,并通过一次构图工艺形成阳极以及与所述第一触控电极交叉设置且为条状的第二触控电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710342458.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top