[发明专利]半导体装置及制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一裸片，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一裸片包括经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫；

第二裸片，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二裸片包括经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫；

第一介电层，其经安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上；

至少一个第一迹线，其经安置在所述第一介电层上且将所述第一垫连接到所述第二垫；及

经安置在所述第一介电层上毗邻于所述第一迹线的至少一个拟迹线；

其中所述第一迹线包括毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分且所述端部分以相对于所述主体部分的延伸方向的角度θ₁延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述角度θ₁介于从15°到165°的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述端部分比所述主体部分宽。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电层界定暴露所述第一垫的至少一个开口及暴露所述第二垫的至少一个开口，且其中所述第一迹线的所述端部分从所述第一迹线的所述主体部分延伸到所述第一垫或所述第二垫。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电层界定暴露所述第一垫的至少一个开口及暴露所述第二垫的至少一个开口，且其中所述第一介电层延伸超过所述第一裸片的所述第一垫及所述第二裸片的所述第二垫。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述拟迹线经安置在所述第一迹线上方。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述拟迹线经安置在所述第一迹线下方。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述拟迹线与所述第一迹线经安置在相同的平面上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一个拟迹线包括经安置成毗邻于所述第一迹线的两个拟迹线。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其进一步包括将所述拟迹线彼此连接的连接部分。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述连接部分为通孔。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一迹线的所述主体部分进一步包括在所述第一裸片与所述第二裸片之间的弯曲部分。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括经安置在所述第一迹线上方的第二介电层及经安置在所述第二介电层上方的金属层。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括经安置在所述第一迹线上方的第二介电层及经安置在所述第二介电层上方的至少一个第二迹线，其中所述第二迹线经安置成正交于所述第一迹线。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括经安置在所述第一迹线上方的第二介电层及经安置在所述第二介电层上方的第二迹线，其中所述第二迹线具有呈三角形波形的部分。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括经安置在所述第一迹线上方的第二介电层及经安置在所述第二介电层上方的第二迹线，其中所述第二迹线具有呈正方形波形的部分。