[发明专利]包括导电凸块互连的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个半导体裸片，所述多个半导体裸片中的每个半导体裸片包括多个裸片键合焊盘，所述多个半导体裸片形成以阶梯式偏移模式相对于彼此堆叠的半导体裸片的裸片堆叠，所述阶梯式偏移模式暴露每个半导体裸片中的所述多个裸片键合焊盘；以及

多个导电凸块，所述多个导电凸块由其自身电互连所述裸片堆叠的不同层级上的半导体裸片的所述裸片键合焊盘；

其中，所述多个导电凸块包括：一个或多个基底导电凸块，所述一个或多个基底导电凸块在所述多个裸片键合焊盘的第一裸片键合焊盘上；以及偏移互连导电凸块，所述偏移互连导电凸块形成在所述一个或多个基底导电凸块的顶部上并且相对于所述一个或多个基底导电凸块偏移。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偏移互连导电凸块部分地形成在所述一个或多个基底导电凸块的顶部上并且部分地形成在与所述裸片堆叠中的所述第一裸片键合焊盘竖直对准的第二裸片键合焊盘上。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个基底导电凸块包括单个基底导电凸块。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述单个基底导电凸块的高度至少大致等于所述半导体裸片的裸片堆叠中的半导体裸片的高度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个基底导电凸块包括堆叠成竖直柱的多个基底导电凸块。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个基底导电凸块的累积高度至少大致等于所述半导体裸片的裸片堆叠中的半导体裸片的高度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个半导体裸片是闪存半导体裸片。

8.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个半导体裸片，所述多个半导体裸片中的每个半导体裸片包括：

第一表面，

第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反，以及

多个裸片键合焊盘，所述多个裸片键合焊盘在所述半导体裸片的所述第一表面上；

所述多个半导体裸片以阶梯式偏移模式相对于彼此堆叠以便形成裸片堆叠，第一半导体裸片的所述第一表面安装至所述堆叠的相邻层级中的第二半导体裸片的所述第二表面，所述阶梯式偏移模式暴露每个半导体裸片中的所述多个裸片键合焊盘；

多个导电凸块，所述多个导电凸块上下叠置并且物理地电互连所述裸片堆叠中的所述第一和第二半导体裸片的所述裸片键合焊盘；

其中，所述多个导电凸块包括一个或多个基底导电凸块以及偏移互连导电凸块，所述一个或多个基底导电凸块包括物理地固定至所述第一半导体裸片的裸片键合焊盘上的第一基底导电凸块，所述偏移互连导电凸块具有物理地固定至基底导电凸块的第一部分以及物理地固定至所述第二半导体裸片的裸片键合焊盘上的第二部分。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个导电凸块包括在所述第一半导体裸片的裸片键合焊盘上堆叠的第一和第二导电凸块，所述第一和第二导电凸块相对于彼此偏移堆叠。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述一个或多个基底导电凸块包括在所述第一半导体裸片的所述裸片键合焊盘上堆叠成竖直柱的多个基底导电凸块。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个基底导电凸块的累积高度至少大致等于所述第二半导体裸片的高度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二半导体裸片的所述高度包括所述半导体裸片的厚度加上所述第二半导体裸片的所述第二表面上的一层裸片附接膜。