[发明专利]一种光刻光学式叠对量测图型结构

权利要求书

1.一种光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于，所述量测图型结构至少包括：由垂直相交的X轴和Y轴隔成的且依次排布的第一象限区、第二象限区、第三象限区、第四象限区；

其中，所述第一象限区和所述第三象限区中图型沿第一方向排列，所述第二象限区和所述第四象限区中图型沿第二方向排列；每一个象限区中图型包括前层图型和位于所述前层图型上方的当层图型，所述前层图型和所述当层图型间隔排列，且每一个象限区中的所述当层图型和所述前层图型的图型总根数满足2n+1，n为大于0的整数，其中，所述第一方向与所述第二方向之间为X轴方向与Y轴方向的垂直角。

2.根据权利要求1所述的光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于：所述量测图型结构位于晶圆切割道的位置上。

3.根据权利要求2所述的光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于：所述当前图型和所述前层图型的形状均为矩形，所述量测图型结构的长度小于或者等于30μm，宽度小于或等于30μm，以符合所述晶圆切割道空间使用需求。

4.根据权利要求1所述的光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于：在每一个象限区中，所述前层图型为偶数根，所述当层图型为奇数根。

5.根据权利要求1所述的光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于：在每一个象限区中，所述前层图型为奇数根，所述当层图型为偶数根。

6.根据权利要求1所述的光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于：在每一个象限区中，所述当层图型的每一根尺寸相同，所述前层图型的每一根尺寸相同，所述前层图型和所述当层图型的线长不超过15μm。

7.根据权利要求1所述的光刻光学式叠对量测图型结构，其特征在于：所述第一象限区的图型与所述第三象限区的图型呈轴对称，所述第二象限区的图型与所述第四象限区的图型呈轴对称。

8.一种形成如权利要求1～7任一项所述的光刻光学式叠对量测图型结构的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

在前层中形成所述前层图型，所述前层图型在所述第一象限区和所述第三象限区中沿所述第一方向排列，在所述第二象限区和所述第四象限区中沿所述第二方向排列；以及

在所述前层上方的当层中形成所述当层图型，所述当层图型在所述第一象限区和所述第三象限区中沿所述第一方向排列，在所述第二象限区和所述第四象限区中沿所述第二方向排列，且所述前层图型和所述当层图型间隔排列。

9.根据权利要求8所述的光刻光学式叠对量测图型结构的方法，其特征在于：采用光学量测方法计算所述量测图型结构中所述当前图型相对于所述前层图型的叠对偏移量。