[发明专利]封装件结构及其形成方法

说明书

凸块下冶金(UBM)和再分布层(RDL)布线结构包括形成在管芯上方的RDL。RDL包括第一导电部分和第二导电部分。在RDL中第一导电部分和第二导电部分处于相同水平。RDL的第一导电部分通过RDL的绝缘材料与RDL的第二导电部分分离。UBM层形成在RDL上方。UBM层包括导电UBM迹线和导电UBM焊盘。UBM迹线将RDL的第一导电部分电连接至RDL的第二导电部分。UBM焊盘电连接至RDL的第二导电部分。导电连接器形成在UBM焊盘上方并且电连接至UBM焊盘。本发明实施例提供一种形成封装件的方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，具体涉及封装件结构及其形成方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断提高，半导体工业已经经历了快速的发展。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的反复减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。关于已经增长的用于缩小电子设备的需求，已经出现更小并且更有创意半导体管芯的封装技术需求。这种封装系统的一个实例是堆叠封装(PoP)技术。在PoP器件中，在底部半导体封装件的顶部上堆叠顶部半导体封装件以提供高水平的集成和组件密度。PoP技术通常能够在生产半导体器件，在印刷电路板(PCB)上PoP技术具有增强的功能和小的占位面积。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种方法，包括：在第一管芯的第一侧上方形成再分布层(RDL)，所述第一管芯具有与所述第一侧相对的第二侧，所述RDL包括第一部分和第二部分，所述第一部分通过所述RDL的绝缘材料与所述第二部分分离开，在所述RDL中所述第一部分和所述第二部分处于相同水平；在所述RDL上方形成凸块下冶金(UBM)，所述UBM层包括UBM迹线和UBM焊盘，所述UBM迹线将所述第一部分电连接至所述第二部分，所述UBM焊盘电连接至所述第二部分；以及在所述UBM焊盘上方形成第一导电连接器并且所述第一导电连接器电连接至所述UBM焊盘。

根据本发明的另一方面，提供一种方法，包括：通过以下方法形成第一封装件：使用模制化合物横向地封装第一管芯和第一电连接器，所述第一电连接器相邻于所述第一管芯，所述第一管芯具有第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；在所述第一管芯的所述第一侧和所述模制化合物上方形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层中形成金属化图案；在所述金属化图案上方形成凸块下冶金(UBM)层；在所述UBM层上方形成第二绝缘层；以及在所述UBM层的第一部分上方形成第一导电连接器，所述UBM层包括通过所述第二绝缘层的第一绝缘区与所述第一部分分离开的第二部分，所述金属化图案包括第三部分，所述第三部分电连接所述UBM层的所述第一部分和所述第二部分，所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分电连接至所述第一导电连接器，并且第二绝缘区插入所述金属化图案的所述第三部分和所述第一绝缘区之间，其中，所述第一绝缘区相比所述第二绝缘区是不同的材料层。

根据本发明的另一方面，提供一种封装件结构，包括：第一封装件，包括：模制化合物，所述模制化合物横向地封装管芯和电连接器，所述电连接器相邻于所述管芯，所述管芯具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；位于所述管芯的所述第一侧和所述模制化合物上方的再分布层(RDL)；位于所述RDL上方的凸块下冶金(UBM)；位于所述UBM层上方的绝缘层；以及位于所述UBM层的第一部分上方的第一导电连接器；其中：所述UBM层包括第二部分，所述第二部分通过所述绝缘层的第一绝缘材料与所述第一部分分离开；所述RDL包括第三部分，所述第三部分设置在所述UBM层的所述第一部分和所述第二部分下方并且电连接至所述第一部分和所述第二部分；所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分电连接至所述第一导电连接器；以及插入所述RDL的所述第三部分和所述第一绝缘材料之间的第二绝缘材料，所述第一绝缘材料与所述第二绝缘材料在不同的材料层中。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意增加或减少。