[发明专利]一种阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示(thin film transistor-liquid crystal display，TFT-LCD)广泛应用于移动应用、笔记本电脑、液晶电视等领域，已经成为平板显示的主流产品。

摩擦配向(Rubbing)是TFT-LCD制作过程中不可或缺的步骤，在该过程中，摩擦布(Rubbing Cloth)与玻璃基板(Glass)之间的摩擦势必会带来静电，如果静电得不到有效释放，就会在Glass上累积，当静电超过产品承受阈值时，就会产生各种静电不良现象。

现有产品设计中，Rubbing过程中产生的静电如果得不到有效释放，就只能通过数据线(Data)向TFT-LCD的有效显示区(Active Area，AA区)进行释放，从而击穿距离较近的1个或多个TFT沟道，最终形成不良，如图1所示，在显示时出现亮点或者亮线。

发明内容

为解决上述问题，本发明实施例提出了一种阵列基板，包括有效显示区和设置在所述有效显示区外侧的第一非显示区；所述第一非显示区内设置有虚拟像素单元，所述虚拟像素单元包括第一导电区和第一导电结构，所述第一导电结构与所述有效显示区的数据线连接，用于将所述数据线上的静电引至所述第一导电区。

可选地，所述导第一电结构包括TFT器件和引线；

所述引线一端与所述有效显示区的数据线电性连接，另一端与所述TFT器件连接，当所述数据线上有静电传输时，所述TFT器件导通，将所述数据线上的静电传输至所述第一导电区。

可选地，所述虚拟像素单元的栅线在所述每个虚拟像素单元间为断开状态；所述每个像素单元的TFT器件的栅极与所述栅线电性连接，所述TFT器件的源极与所述数据线电性连接，所述TFT器件的漏极与所述第一导电区连接；所述引线通过所在所述像素单元的栅线与所述TFT器件的栅极连接。

可选地，所述虚拟像素单元的TFT器件的沟道区宽长比大于所述有效显示区的TFT器件的沟道区宽长比。

可选地，所述第一非显示区围绕所述有效显示区设置，且所述第一非显示区内所述虚拟像素单元的第一导电区依次连接形成围绕所述有效显示区的导电带。

可选地，所述第一非显示区有至少两组，所述至少两组第一非显示区以所述有效显示区为中心逐层向外设置。

可选地，所述第一导电区的材质为透明导电金属ITO。

可选地，在所述有效显示区和所述第一非显示区之间还设置有第二非显示区；所述第二非显示区包括第二导电区和第二导电结构，所述第二导电结构的第一电极与所述第二非显示区的栅线连接；所述第二导电结构的第二电极与所述有效显示区的数据线连接。

为了解决上述问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：

本发明实施例提供了一种阵列基板和显示装置，在有效显示区外侧设置第一非显示区，该非显示区虚拟像素单元内设置有第一导电区和第一导电结构，可以将摩擦配向过程中在数据线上产生的静电，通过第一导电结构引至第一导电区，防止静电向有效显示区传递，对有效显示区的TFT器件造成破坏。

附图说明

图1所示为静电击穿TFT沟道引起显示不良现象示意图。

图2所示为本发明实施例提供的一种阵列基板局部示意图。

图3所示为本发明实施例提供的第一导电结构示意图。

图4所示为本发明一实施例提供的另一种阵列基板局部示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

参照图2所示，为本发明实施例提供的一种阵列基板局部示意图，该阵列基板包括在有效显示区1和第一非显示区2，第一非显示区2设置在有效显示区1的外侧；在第一非显示区2内设置有虚拟像素单元，虚拟像素单元包括第一导电区21和第一导电结构22；第一导电结构22一端与有效显示区1的数据线3连接，另一端与第一导电区21连接。当基板在Rubbing过程中产生的静电，沿数据线3传递时，会通过第一导电结构22将静电引至第一导电区21上，避免了静电向有效显示区2传递，对TFT器件造成破坏。