[发明专利]一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法

权利要求书

1.一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，包括陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层，该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极连接、另一端通过线路与光源P极连接，LED光源金属导电层上设有纳米Ag复合焊膏层，该纳米Ag复合焊膏上贴装有与LED光源金属导电层电连接的LED倒装芯片。

2.根据权利要求1所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。

3.根据权利要求2所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述纳米Ag复合焊膏层以印刷或者涂覆方式设在LED光源导电金属层上，并且以加压加热的方式使米Ag复合焊膏层与陶瓷基板烧结连接。

4.根据权利要求3所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板包括但不限于正方形、长方形、圆形、椭圆形或者多边形。

5.一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：

在陶瓷基板上进行精密线路刻蚀形成LED光源金属导电层、LED光源N极和LED光源P极，该LED光源N极和LED光源P极均与LED光源金属导电层电连接；

通过化学和电火花放电合成制备纳米Ag复合焊膏层，将该纳米Ag复合焊膏层印刷或涂覆于LED光源金属导电层上，以加压加热的方式使纳米Ag复合焊膏层与陶瓷基板烧结连接；

将LED倒装芯片覆合在Ag纳米复合焊膏层上，进行LED光源封装，制作得到具有LED光源的陶瓷基板。

6.根据权利要求4所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述纳米Ag复合焊膏层及陶瓷基板经加压加热烧结后熔点为930℃～960℃。