[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置以及驱动方法有效
申请号: | 201710345104.X | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107093609B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 张慧;林允植;韩承佑;严允晟;张舜航;韩明夫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;G09G3/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 以及 驱动 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
阵列基板衬底;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设置在所述阵列基板衬底上;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管设置在所述阵列基板衬底上,
其中,所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管串联,且所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的栅极,在垂直于所述阵列基板衬底的方向上层叠设置;以及
第一栅线,所述第一栅线与所述第一薄膜晶体管的所述栅极相连,用于控制所述第一薄膜晶体管的开关;
第二栅线,所述第二栅线与所述第二薄膜晶体管的所述栅极相连,用于控制所述第二薄膜晶体管的开关。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,包括多个所述第一薄膜晶体管,所述第一栅线与多个所述第一薄膜晶体管相连。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,包括多个所述第二栅线以及多个所述第二薄膜晶体管,所述第二栅线以及所述第二薄膜晶体管一一对应;
所述第二薄膜晶体管和与其串联的所述第一薄膜晶体管用于控制同一个像素单元。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,包括:
第一栅极,所述第一栅极设置在所述阵列基板衬底上;
栅绝缘层,所述栅绝缘层设置在所述阵列基板衬底上且覆盖所述第一栅极;
有源层,所述有源层设置在所述栅绝缘层远离所述第一栅极的一侧,所述有源层覆盖所述栅绝缘层的部分表面,且所述有源层的至少一部分与所述第一栅极对应设置;
第一漏极以及第二漏极,所述第一漏极以及第二漏极设置在所述栅绝缘层远离所述第一栅极的一侧,所述第一漏极以及第二漏极同层设置且分别独立地与所述有源层相连;
源极,所述源极与所述第一漏极和所述第二漏极同层设置,所述源极与所述有源层相连;
钝化层,所述钝化层覆盖所述第一漏极、所述第二漏极以及所述源极;
第二栅极,所述第二栅极设置在所述钝化层远离所述有源层的一侧,所述第二栅极在所述有源层上的正投影,与至少一部分所述有源层重合,
其中,所述第一栅极、所述有源层、所述源极以及所述第一漏极构成所述第一薄膜晶体管;
所述第二栅极、所述有源层、所述源极以及所述第二漏极构成所述第二薄膜晶体管。
6.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6所述的显示面板。
8.一种驱动显示装置的方法,其特征在于,所述显示装置包括阵列基板,所述阵列基板包括阵列基板衬底,所述阵列基板衬底上设置有互相串联的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管,且所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的栅极,在垂直于所述阵列基板衬底的方向上层叠设置,所述方法包括:
查询预设的画面刷新策略,根据所述画面刷新策略发出控制指令,实现所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管的分别打开或关闭。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述阵列基板包括多个所述第一薄膜晶体管、多个所述第二薄膜晶体管、多条第一栅线以及多条第二栅线,所述第一栅线与多个所述第一薄膜晶体管的所述栅极相连,用于控制多个所述第一薄膜晶体管的开关,所述第二栅线与所述第二薄膜晶体管的所述栅极相连,用于控制所述第二薄膜晶体管的开关且所述第二栅线与所述第二薄膜晶体管一一对应,所述第二薄膜晶体管和与其串联的所述第一薄膜晶体管用于控制同一个像素单元;
所述画面刷新策略包括第一画面刷新策略以及第二画面刷新策略,所述方法进一步包括:
根据所述第一画面刷新策略发出第一控制指令,利用多条所述第二栅线,打开全部所述第二薄膜晶体管,利用多条所述第一栅线,依次打开全部所述第一薄膜晶体管,以便实现所述显示装置的全屏画面刷新;
根据所述第二画面刷新策略发出第二控制指令,利用多条所述第一栅线,依次打开全部所述第一薄膜晶体管,利用部分所述第二栅线,打开部分所述第二薄膜晶体管,以便实现所述显示装置的部分画面刷新。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的