[发明专利]一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710345324.2 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107316939B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05;G11C11/56 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋;孙周强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卤素 诱导 二维 钙钛矿电 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在氮气保护下，将635.8 mg甲基碘化胺溶解于2 mL DMF中，然后向甲基碘化胺溶液中加入647.9 mg硫氰酸铅，震荡获得黄色的(CH3NH3)2PbI2(SCN)2溶液；
（2）在超声波清洗仪中，依次用去离子水、丙酮、无水乙醇清洗ITO玻璃基底；通过旋涂法将(CH3NH3)2PbI2(SCN)2溶液旋涂到ITO玻璃基底上，形成厚度为250 nm的活性层，然后置于氮气保护的手套箱中自然干燥，得到三进制电存储器件用存储部件；旋涂条件如下：溶液滴加于基底上浸润60 s，两段转速分别为：1000 r/min，时间为20 s，3000 r/min, 时间为60 s；将铝电极蒸镀在活性层上，直至铝电极厚度达到100 nm，得到基于拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件；蒸镀条件如下：在5×10-4 Pa真空条件下，蒸镀的速率为2 Å /s；所述三进制电存储器件的两个开启电压分别是1.59V和3.20V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710345324.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：甲酸钙防治南方根结线虫的新用途
- 下一篇：一种防治植物白粉病的农药组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
