[发明专利]内存装置及其制作方法

说明书

本发明公开了一种内存装置，包括内存单元、驱动单元与二第三参考电压接点。内存单元具有数据线与二第一参考电压接点，其中数据线包括依序相邻设置的多个第一输入输出接点，二第一参考电压接点设置于数据线的两侧。驱动单元具有驱动数据线与二第二参考电压接点，其中驱动数据线包括依序相邻设置的多个第二输入输出接点，其各自与对应的第一输入输出接点连接，二第二参考电压接点设置于驱动数据线的两侧且各自与第一参考电压接点连接，驱动数据线的长度与数据线的长度相同。二第三参考电压接点各自与第二参考电压接点连接，以供给二第一参考电压。通过本发明，以增加内存装置的数据读取的正确性及稳定性。

技术领域

本发明涉及内存的技术领域，尤其涉及一种内存装置及其制作方法。

背景技术

一般来说，内存会设置一个参考电压接点，用于供给参考电压(VREF)，以便驱动内存的数据线进行数据读取的操作。并且，数据线是由金属线形成，其上会具有多个片电阻，前述参考电压接点是设置在数据线的一侧或是设置在数据线的中心位置上。

然而，由于数据在线具有多个片电阻，参考电压会受到阻抗衰减问题的影响，使得数据在线距离参考电压接点较近的基准电位会与数据在线距离参考电压接点较远的基准电位不一致，而随着数据线的长度增加会使得参考电压的基准电位损耗更严重，将造成内存因为参考电压偏移下降而产生失真并影响数据读取结果，如此会影响内存读取数据的正确性及稳定性。因此，内存的设计上仍有改善的空间。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种内存装置及其制作方法，以有效地减少参考电压在数据线中被衰减而产生失真的情况，进而造成内存装置在数据读取上产生错误的问题，以增加内存装置的数据读取的正确性及稳定性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种内存装置，包括内存单元、驱动单元与二第三参考电压接点。内存单元具有数据线与二第一参考电压接点，其中数据线包括多个第一输入输出接点，第一输入输出接点依序相邻设置，二第一参考电压接点设置于数据线的两侧。驱动单元具有驱动数据线与二第二参考电压接点，其中驱动数据线包括多个第二输入输出接点，第二输入输出接点依序相邻设置，且第二输入输出接点各自与对应的第一输入输出接点连接，二第二参考电压接点设置于驱动数据线的两侧且各自与第一参考电压接点连接，驱动数据线的长度与数据线的长度相同。二第三参考电压接点各自与第二参考电压接点连接，以供给二第一参考电压。

本发明实施例提供提供一种内存装置的制作方法，包括下列步骤。提供内存单元，其中内存单元包括数据线，数据线包括多个第一输入输出接点，第一输入输出接点依序相邻设置。于内存单元，设置二第一参考电压接点，其中二第一参考电压接点设置于数据线的两侧。提供驱动单元，其相邻于内存单元，其中驱动单元具有驱动数据线，驱动数据线包括多个第二输入输出接点，第二输入输出接点依序相邻设置，且第二输入输出接点各自与对应的第一输入输出接点连接，驱动数据线的长度与数据线的长度相同。于驱动单元，设置二第二参考电压接点，二第二参考电压接点设置于驱动数据线的两侧且各自与第一参考电压接点连接。于驱动单元相对于内存单元的一侧，设置二第三参考电压接点，以供给二第一参考电压，其中二第三参考电压接点各自与第二参考电压接点连接。

根据本发明的技术方案，通过在数据线的两侧分别配置二第一参考电压接点及在驱动数据线的两侧分别配置二第二参考电压接点。另外，除了在数据线的两侧分别配置二第一参考电压接点及在驱动数据线的两侧分别配置二第二参考电压接点外，还在数据线配置至少一第四参考电压接点及在驱动数据线配置至少一第五参考电压接点，其中至少一第四参考电压接点位于第一输入输出接点的其中二第一输入输出接点之间及至少一第五参考电压接点位于第二输入输出接点的其中二第二输入输出接点之间。此外，随着数据线的长度增加，适当地增加第四参考电压接点、第五参考电压接点及第六参考电压接点的数量。如此一来，可以有效地减少第一参考电压在数据线中被衰减而产生失真的情况，进而造成内存装置在数据读取上产生错误的问题，以增加内存装置的数据读取的正确性及稳定性。

附图说明