[发明专利]切割集成电路晶片的改善方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路的领域。更特定地，本发明涉及集成电路晶片的切割。

背景技术

集成电路晶片上的裸片(也称为集成电路芯片)通过刻划道彼此分离。当裸片之间的刻划道为金刚石尖头刻划提供空间以划开硅晶片的表面时，建立术语“刻划道”。通过在划开的晶片的任一侧上对晶片施加轻微的压力，晶片可沿着硅晶面断裂，从而使刻划道的任一侧上的裸片分离。

现今用于分离裸片的传统方法是使用切割锯锯开刻划道。图1和2中说明此切割方法。

如图1中所示，在集成电路(IC)制造完成之后，顶表面上具有由刻划道108分离的集成电路106的IC晶片104安装在切割带102上。

接着使用切割锯110沿着刻划道108锯开晶片104的剩余部分以分离IC裸片112。

随着IC芯片上几何体的尺度缩小，刻划道108的宽度已经变窄。这使得在晶片上能够有更多裸片。切割锯刀片110已经变窄以适应较窄的刻划道108。切割锯刀片110可切开的硅的厚度受切割锯刀片110的宽度限制。切割锯刀片110必须更宽以锯开更厚的硅。

如图3中所说明，使得能够使用较窄刻划道的一种方法是在将切割带102施加到晶片120的背侧之前使用背面研磨来使晶片120变薄。因为晶片120现在更薄，所以可如图4中所示般使用更窄的切割锯刀片114。

发明内容

以下内容呈现简化发明内容以便提供对本发明的一或多个方面的基本理解。此发明内容并非为本发明的广泛概述，且不希望识别本发明的关键或重要元件，也不希望勾画其范围。事实上，发明内容的主要目的是以简化形式提出本发明的一些概念作为稍后呈现的更详细描述的序言。

一种切割集成电路晶片的方法，所述方法通过从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道且接着从所述晶片的前侧完成锯切刻划道来实现。一种切割集成电路晶片的方法，所述方法通过在从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道之前将所述晶片进行背面研磨且接着从所述晶片的前侧完成锯切刻划道来实现。

附图说明

图1(现有技术)是切割前安装在切割带上的集成电路晶片的横截面。

图2(现有技术)是切割后安装在切割带上的集成电路晶片的横截面。

图3(现有技术)是切割前安装在切割带上的集成电路晶片的横截面。

图4(现有技术)是切割后安装在切割带上的集成电路晶片的横截面。

图5(现有技术)是切割集成电路晶片上的裸片之间的刻划道的切割锯的横截面。

图6A到图6C是使用实施例切割方法进行的切割的连续阶段中描绘的集成电路晶片的横截面。

图7A到图7E是在制造的连续阶段中描绘的含有薄膜电阻器的另一实例集成电路的横截面。

具体实施方式

参考附图描述本发明的实施例。图并非为按比例绘制的，且提供所述图以仅用于说明本发明。下文参考用于说明的实例应用描述所述实施例的若干方面。应理解，陈述数个特定细节、关系及方法以提供对本发明的理解。然而，相关领域的技术人员将容易地认识到，可无需使用特定细节中的一或多者或使用其它方法来实践本发明。在其它情况下，未详细展示众所周知的结构或操作以避免使本发明模糊。所述实施例并非由所说明的动作或事件的次序限制，此是由于一些动作可以不同次序及/或与其它动作或事件同时发生。此外，并不需要所有说明的动作或事件来实施根据本发明的方法。

将IC晶片上的裸片锯开的当前方法具有若干缺点。一个问题是，切割锯刀片的边缘在其锯开晶片并且进入切割带中时在切割锯刀片的边缘上积聚粘合剂及硅锯屑。此限制了切割刀片的寿命且还引入了碎口及裂纹形成在裸片的边缘中。为了限制切割刀片114的边缘暴露于切割带102的粘合剂，切割锯刀片114可在硅晶片120的底部被锯开时即刻停止，如图5中所说明。此可在裸片122的底角处形成尖锐角116，尖锐角116容易破碎及裂开。

当前方法的另一个问题是刻划道的宽度受切割刀片的宽度限制。切割刀片的宽度是由待锯切的硅的厚度确定。为了减小切割锯刀片的宽度，可在锯切之前使用背面研磨来使晶片变薄。薄的晶片难以处理且容易破损。在此情况下，刻划道的宽度受可无破损地进行处理的晶片的最小厚度限制。

随着裸片尺寸变得更小，当前方法的上述问题变得更加严重。裸片尺寸小于1平方毫米是特别有问题的。

在小裸片的情况下，出现裸片飞散的额外问题。当裸片尺寸变得更小时，裸片表面与切割带上的粘合剂之间的接触面积减小。旋转的切割锯刀片可能导致裸片从切割带上升起并在整个室内飞散(裸片飞散)。