[发明专利]具有过热保护能力的多通道LED驱动器

权利要求书

1.一种用于驱动多通道LED阵列的装置，包括：

电路，所述电路连接至LED串，并且包括：

开关晶体管，所述开关晶体管包括第一端子和第二端子；

误差放大器，所述误差放大器连接到所述开关晶体管，并且被配置成将流过所述LED串的电流控制成具有目标幅值；以及

过热保护电路，所述过热保护电路连接到所述开关晶体管，并且被配置成通过在所述第一端子与所述第二端子之间提供分流路径而将流过所述开关晶体管的电流调节成具有小于或等于所述目标幅值的幅值，其中，所述过热保护电路包括比较器，所述比较器被配置成将在所述第二端子处的电压与触发电平电压进行比较以控制流过所述分流路径的电流。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，包括在所述LED串中的LED具有不同的正向偏置电压。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开关晶体管是横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、结栅场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管或双极结型晶体管。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述误差放大器是差分放大器或运算放大器。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开关晶体管经由感测电阻器接地，并且其中，所述第一端子连接到所述LED串，并且所述第二端子连接到所述感测电阻器。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，在所述分流路径中提供电阻元件和开关。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述电阻元件包括单个电阻器、并联连接的多个电阻器、金属氧化物半导体场效应晶体管或双极结型晶体管。

8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管或双极结型晶体管。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述开关被配置成响应于指示流过所述感测电阻器的电流的幅值的电学量大于或等于所述触发电平电压而被导通。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，指示流过所述感测电阻器的电流的幅值的所述电学量包括在所述开关晶体管的所述第二端子处的电压电平，并且其中，根据来自脉冲宽度调制信号发生器的脉冲宽度调制信号，来自所述比较器的输出被输入到所述开关的控制输入端子。

11.根据权利要求8所述的装置，其中，所述开关被配置成响应于指示流过所述感测电阻器的电流的幅值的电学量和来自脉冲宽度调制信号发生器的脉冲宽度调制信号而被切换。

12.一种用于保护LED驱动器免于过热的装置，包括：

开关晶体管，所述开关晶体管中的每一个包括连接到LED串的第一端子和经由感测电阻接地的第二端子；以及

分流支路，所述分流支路分别并联连接到所述开关晶体管，

其中，所述分流支路中的每一个包括串联连接的电阻元件和开关，并且所述开关被配置成响应于条件被满足而被导通，并且

其中，所述条件包括在所述第二端子处的电压大于或等于触发电压电平这一条件。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电阻元件包括单个电阻器、并联连接的多个电阻器、金属氧化物半导体场效应晶体管和双极结型晶体管中的一者。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和双极结型晶体管中的一者。

15.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电阻元件的电阻至少部分地基于易导致所述开关晶体管过热的所述开关晶体管的漏源电压的幅值和期望流入所述分流支路的电流的幅值来确定。