[发明专利]一种重要数据存储的防破译方法

权利要求书

1.一种用于重要数据存储的防破译方法，包括：

在步骤S1中，数据提供方向防破译系统发出存储请求，并等待系统响应；

在步骤S2中，防破译系统响应数据提供方；

在步骤S3中，数据提供方输入将来存取所存储数据的信令；

在步骤S4中，防破译系统对数据提供方进行验证；

在步骤S5中，验证通过，数据提供方输入待存储的数据；

在步骤S6中，防破译系统判定数据提供方所提供数据的重要性；

在步骤S7中，将重要数据优先存储到存储设备中；以及

在步骤S8中，将重要数据进行冗余备份操作；

其中在步骤S7中，将重要数据优先存储到存储设备中具体包括：

首先将存储设备分成多个区块，根据功能将其分配为存储区、冗余区、映射区，其中三者的比率为2^M：2^N：1，其中M和N均为大于等于4的正整数，并且M：N为固定值的正整数，该存储设备为低功耗存储设备；M：N的值为2^L，其中L为大于等于2的正整数；然后将数据以页为单位，逐页地存储在存储区中，存储结束后，采用存储设备内部的冗余生成器，将数据进行冗余操作，并且相应地在映射区形成存储数据和冗余数据的对应关系表格；

其中存储设备采用半导体存储设备，该半导体存储设备由多个存储单元的矩阵组成，存储单元是最小的单位，其包括：基底，在基底中形成条状的第一部分和第二部分，通过刻蚀将第一部分和第二部分的上表面与基底的其他部分的上表面齐平；在第一部分和第二部分之间形成导电沟道部分，供电子或空穴在电压施加时进行迁移；在第一部分和第二部分的正上方，通过淀积形成相邻的字线和浮置栅，在浮置栅上方形成半导体绝缘层，在半导体绝缘层上方生成控制极，浮置栅、绝缘层和控制极在垂直方向上依次叠加并通过绝缘层进行隔离，这三者形成的堆叠与字线垂直平行；在该堆叠的与字线相对的另一侧是抹除极，该抹除极在工艺上垂直地呈Y形，并且位于第二部分上方且与浮置栅在垂直方向上有部分交叠；所述字线在第一部分的上方且与第一部分在垂直方向上有部分交叠；所述堆叠与第二部分在垂直方向上有部分交叠；所述堆叠和位于其两边的字线、抹除极均绝缘；第一部分连接存储单元的比特线，第二部分为源线；上述结构作为一个存储单元，并且其与一个相邻的存储单元呈对称结构，并且共享源线和抹除极，即以共享的源线和Y形抹除极为中心，左右对称，进而以这两个存储单元为子集，作为存储设备的比存储单元大的单位；上述基底与第一部分和第二部分的极性相反，前者和后两者分别是P型掺杂半导体和N型掺杂半导体中的任一个和另一个；

其中在步骤S3中，数据提供方输入将来存取所存储数据的信令和在步骤S4中，防破译系统对数据提供方进行验证包括：数据提供方输入将来存取所存储数据的信令，该信令先进入存储控制方，存储控制方的随机数产生模块产生的随机数，并对该信令进行哈希，从而进行加密；哈希操作包括对消息摘要、用户权限、可用权、保密等级的操作；防破译系统接受该哈希和加密结果，利用其内部的随机数产生模块产生的随机数，采用加密方式对该随机数、接受的结果以及前述信令，产生的结果输出返回给数据提供方，数据提供方获取该结果输出之后，采用解密方式将该输出结果进行解密；如果解密通过，则利用上述信令计算来获取结果输出中附连的随机数，并通过来得到随机数，验证得到的随机数与存储控制方的随机数产生模块产生的随机数的一致性，如果一致则进入步骤S5；否则返回步骤S3，重复步骤S3-S4，直到一致性核实通过或者直到最大核实次数之后终止；

该防破译方法能够增强存储的重要数据的安全性、完整性和可靠性，提高存储的重要数据的防破译能力，在带来安全性、完整性、可靠性、可恢复程度的同时降低存储载体的功耗。

2.如权利要求1所述的用于重要数据存储的防破译方法，其中在步骤S5中，验证通过，数据提供方输入待存储的数据包括：存储控制方将输入的待存储的数据进行位补齐，并且将其长度补到操作的消息后面以使得原始消息长度的长度达到期望消息长度，确定常数和处理函数，并通过计算得到消息摘要。