[发明专利]量子点、墨水及量子点发光显示器件

说明书

本申请提供了一种量子点、墨水及量子点发光显示器件。该核壳结构量子点包括C/B₁/A₁……/B_n/A_n/B_n+1/A_n+1，或C/B₁/A₁……/B_n/A_n/B_n+1，其中，C为核，B₁至B_n+1各壳层为B类壳层，A₁至A_n+1各壳层为A类壳层，各壳层递增排列逐渐远离C核，且A类壳层和B类壳层交叉排列形成多个相邻的A/B壳组，n为整数，且n≥1；C核和A类壳层用于发光；在C/B核壳组和任意A/B壳组中，B类壳层的导带底高于A类壳层或C核的导带底，B类壳层的价带顶低于A类壳层或C核的价带顶。上述量子点各壳层形成了带隙交替的多层结构，实现了在维持量子点稳定性的同时，提高发光效率的效果。

技术领域

本申请涉及量子点材料领域，具体而言，涉及一种量子点、墨水及量子点发光显示器件。

背景技术

为了量子点的稳定性，传统CdSe/CdS、CdSe/ZnS等简单core/shell(核/壳)结构通常会将壳层做得比较厚，比如直径10nm大小的CdSe/CdS结构的红光量子点，核直径只有约3nm。这样在量子点自发光显示(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)应用中，量子点才可能在经过提纯、配体交换等处理后仍保持好的光电性质。但是目前QLED器件的寿命，尤其是蓝光仍旧不够理想，还没有达到应用的要求。解决这个问题，可以将量子点继续做厚，现有技术中一般采用约15nm的大尺寸量子点做QLED提高了器件寿命。但是过厚的壳层提高了电荷注入的难度，会导致启动电压提升，发光效率下降。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种量子点、墨水及量子点发光显示器件，以解决现有技术中的QLED器件中无法在维持量子点稳定性的同时提高发光效率的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种量子点，该量子点的结构为核壳结构，包括：C/B₁/A₁……/B_n/A_n/B_n+1/A_n+1，或C/B₁/A₁……/B_n/A_n/B_n+1，其中，C为核，B₁至B_n+1各壳层为B类壳层，A₁至A_n+1各壳层为A类壳层，各壳层递增排列逐渐远离C核，且A类壳层和B类壳层交叉排列形成多个相邻的A/B壳组，n为整数，且n≥1；C核和A类壳层用于发光；在C/B核壳组和任意A/B壳组中，B类壳层的导带底高于A类壳层或C核的导带底，B类壳层的价带顶低于A类壳层或C核的价带顶。

进一步地，A类壳层的材料选自CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnTe、InP、GaP、CuInS、CuGaS、CdSSe、CdZnS、CdZnSe；B类壳层的材料选自ZnS、ZnSe、CdS、InP、CuInS、CuGaS、CdZnS、CdZnSe中的一种或多种。

进一步地，量子点用于发射目标颜色的光，目标颜色的光包括一种或多种波长，优选地，波长值选自390至780nm之间的任意值。

进一步地，在C/B核壳组或至少一个A/B壳组中，B类壳层阻断与之相邻的A类壳层或C核参与耦合发光，B类壳层的导带底比A类壳层或C核的导带底高0.5eV以上，B类壳层的价带顶低比A类壳层或C核的价带顶低0.5eV以上，且B类壳层的厚度大于等于预设厚度。

进一步地，在C/B核壳组或至少一个A/B壳组中，B类壳层不阻断与之相邻的A类壳层或C核参与耦合发光，B类壳层的厚度小于等于预设厚度。