[发明专利]脊状发光二极管在审
| 申请号： | 201710347986.3 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107275453A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种脊状发光二极管，其特征在于，包括：SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge-Sn合金层、N型Ge-Sn合金层、P型Ge-Sn合金层，其中：
所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；
所述脊状Ge-Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；
所述N型Ge-Sn合金层和所述P型Ge-Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge-Sn合金层两侧。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述晶化Ge层为经过LRC工艺形成的Ge层。
3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述LRC工艺的参数中激光参数为：激光波长为808nm，激光光斑尺寸为10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括钝化层，所述钝化层位于所述N型Ge-Sn合金层、所述脊状Ge-Sn合金层、所述P型Ge-Sn合金层之上。
5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述钝化层的材料为SiO2。
6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第一电极和第二电极，其中：
所述第一电极，位于所述N型Ge-Sn合金层之上；
所述第二电极，位于所述P型Ge-Sn合金层之上。
7.根据权利要求6所述的二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为Cr-Au合金。
8.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型Ge-Sn合金层的掺杂浓度为1×1019cm-3。
9.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述P型Ge-Sn合金层的掺杂浓度为1×1019cm-3。
10.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述脊状Ge-Sn合金层厚度为150～200nm，掺Sn组分为8％，掺Ge组分为92％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710347986.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
