[发明专利]一种红外光模块

权利要求书

1.一种红外光模块，其特征在于，包括：红外发光源、接收器、集成芯片和光接口；其中，

所述集成芯片分别与所述红外发光源和所述接收器相连接；所述红外发光源和所述接收器分别与所述光接口相连接；

所述红外发光源中设置有红外发光二极管；

所述红外发光二极管包括：SOI衬底、Ge外延层、脊形横向的PiN结构和金属电极；其中，

所述Ge外延层设置于所述SOI衬底的表面的中心位置处；

所述PiN结构设置于所述SOI衬底和所述Ge外延层的表面；

所述金属电极设置于所述脊形横向的PiN结构两侧的位置处，且电连接至所述红外光源的管脚处。

2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述集成芯片包括驱动器、放大器和处理器，所述驱动器、所述放大器均电连接至所述处理器。

3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述驱动器电连接至所述红外发光源，用于驱动所述红外发光源发光并控制所述红外发光源的电压来改变发光强弱，以实现将数据信号转变成光信号。

4.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述接收器电连接至所述放大器，用于将接收到的光信号转换成电信号，通过其输出端传输至所述放大器。

5.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述红外发光源的负端连接所述集成芯片，所述红外发光源的正端连接直流电源。

6.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述PiN结构包括：GeSn层、N型Ge区域和P型Ge区域。

7.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述金属电极包括正电极和负电极；其中，

所述正电极设置于P型Ge区域的上表面；

所述负电极设置于N型Ge区域的上表面。

8.根据权利要求7所述的光模块，其特征在于，所述红外发光二极管还包括钝化层，所述钝化层设置于所述PiN结构的上表面，用于隔离所述正电极及所述负电极。